Quattro nuovi dispositivi aumentano l’efficienza e la densità di potenza delle apparecchiature industriali.
Toshiba ha lanciato quattro MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 650 V, dotati della sua tecnologia SiC di terza generazione e alloggiati in un compatto package DFN8×8; i nuovi prodotti sono adatti per apparecchiature industriali, come alimentatori switching e condizionatori di potenza per generatori fotovoltaici. I MOSFET TW031V65C, TW054V65C, TW092V65C e TW123V65C sono già disponibili in volumi di produzione.
I nuovi prodotti sono i primi MOSFET SiC di terza generazione ad utilizzare il piccolo package DFN8×8 a montaggio superficiale, che riduce il volume di oltre il 90% rispetto ai package tradizionali come TO-247 e TO-247-4L(X) e migliora la densità di potenza delle apparecchiature.
Il montaggio superficiale consente inoltre l’uso di componenti (resistenze, induttanze) più piccoli di quelli utilizzati con i package tradizionali, riducendo le perdite di commutazione. DFN8×8 è un package a 4 pin che consente l’uso di una connessione Kelvin per il gate drive. Ciò riduce l’influenza dell’induttanza nel filo sorgente all’interno del package, ottenendo prestazioni di commutazione ad alta velocità; nel caso di TW054V65C, riduce la perdita di accensione di circa il 55% e la perdita di spegnimento di circa il 25% rispetto agli attuali prodotti Toshiba, contribuendo a ridurre la perdita di potenza nelle apparecchiature.
Toshiba continuerà ad ampliare la propria gamma per contribuire a migliorare l’efficienza delle apparecchiature e ad aumentare la capacità energetica.
Applicazioni
- Alimentatori switching in server, data center, apparecchiature di comunicazione, ecc.
- Stazioni di ricarica per veicoli elettrici
- Inverter fotovoltaici
- Gruppi di continuità
Caratteristiche
- Package DFN8×8 a montaggio superficiale. Consente la miniaturizzazione delle apparecchiature e l’assemblaggio automatizzato. Bassa perdita di commutazione.
- MOSFET SiC di terza generazione di Toshiba
- Buona dipendenza dalla temperatura della resistenza di drain-source tramite l’ottimizzazione della resistenza di deriva e del rapporto di resistenza del canale
- Cariche a bassa resistenza di drain-source × gate-drain
- Bassa tensione diretta del diodo: VDSF =-1,35 V (tip.) (VGS =-5 V)
