mercoledì, Ottobre 9, 2024
HomeAZIENDEToshiba introduce nuovi MOSFET a canale P da -60 V

Toshiba introduce nuovi MOSFET a canale P da -60 V

Toshiba introduce nuovi MOSFET a canale P

I nuovi dispositivi consentono di ridurre il consumo energetico nelle applicazioni automobilistiche.

Toshiba Electronics Europe annuncia la disponibilità di altri due MOSFET a canale P da -60 V basati sul 5. I nuovi prodotti ampliano la gamma di dispositivi adatti all’uso in applicazioni automobilistiche come interruttori di carico, relè a semiconduttore e azionamenti di motori.

I nuovi XPH8R316MC e XPH13016MC sono già qualificati per soddisfare AEC-Q101, lo standard di affidabilità automobilistica. Come parte di ciò, sono alloggiati in un contenitore SOP Advance (WF), una soluzione a montaggio superficiale con wettable flank. Ciò facilita l’ispezione ottica automatizzata (AOI) dei punti di saldatura, fondamentale per l’affidabilità negli ambienti automobilistici difficili. Un ulteriore vantaggio è la connettività in rame all’interno del contenitore che riduce la resistenza del contenitore, aumenta l’efficienza e migliora la dispersione del calore.

Caratteristiche tecniche

L’XPH8R316MC è classificato per una corrente di drenaggio continua (ID) di -90 A, mentre l’XPH13016MC è classificato per un ID di -60 A. La corrente di drain pulsata (IDP) è il doppio di questi valori, rispettivamente -180 A e -120 A. Entrambi i dispositivi sono progettati per una tensione drain-source (VDSS) di -60 V e sono in grado di funzionare a temperature del canale (Tch) fino a 175ºC.

La resistenza massima drain-source RDS(ON) dell’XPH8R316MC è 8,3 mΩ, ovvero circa il 25% inferiore rispetto all’attuale TPCA8123 di Toshiba. Per l’XPH13016MC, il valore è 12,9 mΩ, circa il 49% inferiore rispetto al TPCA8125. Questi valori estremamente ridotti di RDS(ON) contribuiscono in modo significativo a ridurre il consumo energetico nelle applicazioni automobilistiche.

I nuovi dispositivi sono in produzione di massa.