domenica, Luglio 21, 2024
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STMicroelectronics insignita della prestigiosa Milestone IEEE per la tecnologia di processo a semiconduttore BCD

Con un cerimonia trasmessa in streaming, l’IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineering) ha conferito ieri a STMicroelectronics la targa IEEE Milestone per il suo lavoro rivoluzionario nella tecnologia di processo BCD con gate di silicio super integrato che riunisce i transistor analogici ad alta precisione di un processo bipolare, i transistor di commutazione digitale ad alte prestazioni di un processo CMOS e i transistor DMOS ad alta potenza (BCD) in un unico chip per applicazioni complesse con elevati requisiti di potenza.

Nel corso degli anni, la tecnologia di processo BCD ha reso possibili sviluppi rivoluzionari in applicazioni finali che comprendono, tra le tante, i dischi rigidi, le stampanti e l’intera gamma delle applicazioni automotive.

Immagine: STMicroelectronics

La targa IEEE Milestone è un riconoscimento al lavoro pionieristico con cui i progettisti hanno raggruppato componenti ad alta potenza, funzioni analogiche precise e la complessa logica digitale di controllo su un unico pezzo di silicio.  Con questa tecnologia sono stati venduti ad oggi oltre 40 miliardi di chip.

Durante una cerimonia tenutasi presso lo stabilimento ST di Agrate Brianza, la targa IEEE Milestone è stata scoperta da Giambattista Gruosso, IEEE Italy Section Humanitarian Activities Committee Coordinator and past Secretary, e da Jean-Marc Chery, Presidente  & CEO di STMicroelectronics. La targa sarà posizionata agli ingressi principali di due sedi di ST nell’area di Milano, dove si è svolto il lavoro di sviluppo della tecnologia BCD: Agrate (ad Agrate Brianza, MB) e Castelletto (Cornaredo, vicino a Milano). Le targhe recano l’iscrizione:

IEEE Milestone Multiple Silicon Technologies on a Chip, 1985
SGS (oggi STMicroelectronics) ha per prima realizzato il processo con gate di silicio super integrato che unisce transistor bipolari, CMOS e DMOS (BCD) in un unico chip per applicazioni complesse con elevati requisiti di potenza. Il primo circuito BCD super integrato, denominato L6202, poteva controllare fino a 60 V-5 A a 300 kHz. Successivamente, questa tecnologia di processo è stata ampiamente adottata in applicazioni automotive, computer e industriali, e ha consentito ai progettisti di chip di combinare in modo flessibile e affidabile l’elaborazione di segnali di potenza, analogici e digitali.

Il programma Milestone è stato istituito dall’IEEE nel 1983 per celebrare l’eccellenza e l’innovazione tecnologica a beneficio dell’umanità che si ritrova in prodotti, servizi, contributi scientifici fondamentali e brevetti di valore unico. Ogni Milestone riconosce un progresso tecnico significativo che è stato realizzato almeno 25 anni fa in un’area tecnologica rappresentata all’interno dell’organizzazione IEEE e che ha avuto un impatto a livello almeno regionale. Attualmente sono circa 220 le Milestone IEEE approvate e conferite in tutto il mondo.

Nei primi anni ’80, i progettisti di ST iniziarono a studiare una soluzione che consentisse di gestire in modo affidabile un’ampia gamma di applicazioni elettroniche, sperimentando la possibilità di integrare transistor eterogenei, diodi e componenti passivi in un unico chip. Pensando alle esigenze dei clienti in vari segmenti di mercato, l’obiettivo dei progettisti era quello di fornire una potenza elettrica nell’ordine delle centinaia di Watt sotto il controllo di una logica digitale che potesse scalare secondo la legge di Moore. Inoltre, i dispositivi risultanti avrebbero dovuto supportare funzioni analogiche precise, riducendo al minimo il consumo di energia per eliminare la necessità dei dissipatori.

Quegli studi diedero vita a una nuova tecnologia basata su gate di silicio integrati. La tecnologia Bipolare, CMOS, DMOS (BCD) rendeva possibile l’integrazione, su un unico chip, di diodi, dispositivi bipolari lineari, una logica CMOS complessa e molteplici funzioni di potenza DMOS con interconnessioni complesse. Il primo chip, il driver per motore a ponte L6202, riusciva a soddisfare tutti i suoi obiettivi di progettazione operando a 60 V ed erogando 1,5 A con commutazione di potenza fino a 300 kHz. Questa nuova e affidabile tecnologia di processo permetteva ai progettisti di unire con versatilità l’elaborazione di segnali di potenza, analogici e digitali su un singolo dispositivo.

Dall’introduzione del processo BCD, ST ha venduto oltre 40 miliardi di dispositivi basati su questa tecnologia di cui presto inizierà a produrre la decima generazione. La tecnologia, utilizzata in siti di produzione front-end e back-end in Europa e in Asia, ha una vasta diffusione sul mercato e trova impiego in numerosi sottosistemi automotive ma anche in smartphone, elettrodomestici, amplificatori audio, dischi rigidi, alimentatori, stampanti, pico proiettori, luci, dispositivi medicali, motori, modem, schermi e altro ancora.

“L’unione delle doti di alta precisione dei transistori bipolari con il controllo digitale del CMOS e i vantaggi in termini di grande potenza del DMOS nei primi anni 80 è stato un successo eccezionale. Poteva coglierlo solo un team con un incredibile talento tecnologico che operava all’interno di un’organizzazione che con lungimiranza ha compreso il valore dello smart power (potenza intelligente) in grande anticipo sui tempi” ha detto  Jean-Marc Chery, President & CEO di STMicroelectronics. Adesso, abbiamo alle spalle 35 anni, 9 generazioni, 5 milioni di wafer di silicio, e 40 miliardi di chip venduti di cui quasi 3 miliardi solo nello scorso anno. Accogliamo con orgoglio questa targa di IEEE che segna la pietra miliare e riconosce l’invenzione del BCD da parte di ST all’interno del gruppo di tecnologie selezionate perché hanno fatto progredire il genere umano.“