ROHM ha annunciato oggi di aver avviato insieme a TSMC una partnership strategica per lo sviluppo e la produzione in serie di dispositivi di potenza al nitruro di gallio (GaN) destinati ad applicazioni su veicoli elettrici.
La partnership, a cui ROHM contribuirà apportando l’expertise nello sviluppo di dispositivi e TSMC la tecnologia di processo GaN-on-silicon leader nel settore, mira a soddisfare la crescente domanda di dispositivi di potenza dotati di caratteristiche di alta tensione e alta frequenza superiori al silicio.
I dispositivi di potenza GaN sono attualmente utilizzati in applicazioni consumer e industriali, come adattatori AC e alimentatori per server. TSMC, leader nella sostenibilità e nella produzione ecologica, è promotrice della tecnologia GaN per i suoi potenziali vantaggi ambientali nelle applicazioni automotive, come i caricabatterie di bordo e gli inverter destinati ai veicoli elettrici (EV).
La partnership si basa sulla storica collaborazione tra ROHM e TSMC nel campo dei dispositivi di potenza GaN. Nel 2023, ROHM ha adottato i transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) al GaN da 650 V di TSMC, il cui processo è sempre più utilizzato nei dispositivi consumer e industriali come parte della serie EcoGaN di ROHM, tra cui l’adattatore AC da 45 W (caricabatterie veloce) “C4 Duo” prodotto da Innergie, un marchio di Delta Electronics, Inc.
“I dispositivi GaN, in grado di funzionare ad alta frequenza, sono molto attesi per il loro contributo alla miniaturizzazione e al risparmio energetico, fattori che possono aiutare a realizzare una società decarbonizzata. Per l’implementazione di queste innovazioni nella società sono fondamentali partner affidabili, per questo siamo lieti di collaborare con TSMC, che possiede un’avanzata tecnologia di produzione leader a livello mondiale“, ha dichiarato Katsumi Azuma, membro del C.d.A. e Senior Managing Executive Officer di ROHM. “Oltre a impegnarci in questa partnership, puntiamo a promuovere l’adozione del GaN nel settore automotive fornendo soluzioni GaN di facile utilizzo che includono circuiti integrati di controllo per massimizzare le prestazioni del GaN”.
“Mentre procediamo con lo sviluppo di tecnologie di processo GaN di prossima generazione, insieme a ROHM stiamo estendendo la partnership allo sviluppo e alla produzione di dispositivi di potenza GaN per applicazioni automotive“, ha dichiarato Chien-Hsin Lee, Senior Director del settore Specialty Technology Business Development di TSMC. “Combinando l’esperienza di TSMC nella produzione di semiconduttori con la competenza di ROHM nella progettazione di dispositivi di potenza, ci impegniamo ad allargare i confini di applicazione della tecnologia GaN e della sua implementazione per i veicoli elettrici”.
