mercoledì, Maggio 29, 2024
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Onsemi presenta la famiglia di MOSFET SUPERFET V ad alte prestazioni per applicazioni server e telecomunicazioni

Con le loro elevate prestazioni, questi dispositivi consentono agli alimentatori di soddisfare le normative di efficienza energetica 80 PLUS Titanium.

Onsemi ha annunciato la sua nuova famiglia di MOSFET 600 V SUPERFET V con dispositivi ad alte prestazioni che consentono agli alimentatori di soddisfare le più stringenti normative di efficienza energetica come 80 PLUS Titanium, soprattutto nelle condizioni di carico più impegnative che non sono quelle massime ma con carico del 10%. Come parte della famiglia 600 V SUPERFET, tre gruppi di prodotti – FAST, Easy Drive e FRET – sono ottimizzati per fornire prestazioni ai vertici della categoria in una varietà di applicazioni e topologie. La nuova famiglia di prodotti è suddivisa in tre categorie, FAST, Easy Drive e FRET, ottimizzate per fornire le migliori prestazioni in una varietà di applicazioni e topologie.

La famiglia 600 V SUPERFET V offre eccellenti caratteristiche di commutazione e un rumore di gate inferiore con conseguente miglioramento delle prestazioni elettromagnetiche (EMI), un vantaggio significativo per server e sistemi di telecomunicazione. Inoltre, l’affidabilità del sistema è migliorata dalla presenza di un robusto diodo di recovery e da una VGSS elevata.

Con l’obiettivo di affrontare il cambiamento climatico, la certificazione 80 Plus Titanium richiede che server e hardware di archiviazione dati forniscano livelli di efficienza energetica del 90% in condizioni di carico del 10% e efficienze del 96% quando si ha a che fare con carichi del 50%“, ha affermato Asif Jakwani, senior vicepresidente e direttore generale, Advanced Power Division, presso onsemi. “Le versioni FAST, Easy drive e FRFET della nostra famiglia SUPERFET V soddisfano queste esigenze, fornendo una soluzione robusta che assicura l’affidabilità continua del sistema”.

Le versioni FAST offrono la massima efficienza nelle topologie di commutazione hardware (come PFC di fascia alta) e sono ottimizzate per fornire una ridotta carica di gate (Qg) e basse perdite EOSS per consentire una commutazione rapida. I dispositivi iniziali includono il NTNL041N60S5H (41milliohm RDSon) e NTHL185N60S5H (185 milliohm RDSon), entrambi in package  TO-247. L’NTP185N60S5H è un dispositivo con package TO-220 mentre l’NTMT185N60S5H utilizza un package Power88 da 8 x 8 x 1mm che garantisce un livello MSL1 (Moisture Sensitivity Levels) e ha una configurazione Kelvin source connection che migliora il rumore del gate e la perdita di potenza di commutazione.

Le versioni Easy Drive sono adatte a topologie di commutazione sia hard che soft e contengono un resistore di gate interno (Rg) e una capacità ottimizzata. Sono adatti all’uso generico in molte applicazioni, tra cui PFC e LLC. In questi dispositivi, il diodo Zener integrato tra l’elettrodo di gate e l’elettrodo di source da 120 milliohm (RDSon) fornisce meno sollecitazioni sull’ossido di gate e una maggiore robustezza ESD che porta a una migliore resa dell’insieme con un numero di guasti inferiore. Attualmente sono disponibili due dispositivi con RDS (on), da 99 milliohm e 120 milliohm: NTHL099N60S5NTHL120N60S5Z, entrambi con package TO-247.

Le versioni a ripristino rapido (FRFET) sono adatte a topologie di commutazione soft come il ponte intero a sfasamento (PSFB) e le soluzioni LLC. Beneficiano di un diodo body veloce e offrono Qrr e Trr ridotti. La robustezza del diodo garantisce una maggiore affidabilità del sistema. L’NTP125N60S5FZ con diodo Zener integrato presenta una RDSon di 125 milliohm ed è disponibile in package TO-220 mentre l’NTMT061N60S5F presenta 61milliohm in package Power88. Il dispositivo con il valore RDSon più basso è l’NTHL019N60S5F da 19 milliohm in un package TO-247.