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News semiconduttori e mercati del 3 maggio 2021

AMERICA & GLOBAL

Prima seduta di settimana contrastata a Wall Street con il Dow Jones e l’S&P 500 che avanzano mentre il Nasdaq Composite perde terreno.

È tornato l’interesse per le azioni cicliche mentre perdono leggermente quota i tecnologici nonostante la maggior parte delle società di questo comparto abbiano superato, nell’attuale stagione degli utili, le stime degli analisti, sia per le vendite che per i guadagni.

In questi giorni sono aumentati i timori, oltre che per la diffusione della pandemia in India e Brasile, per l’aumento dei prezzi delle materie prime e per le difficoltà della catena di approvvigionamento che potrebbe rallentare la ripresa economica in atto.

In secondo piano sono passate, invece, le preoccupazioni per l’aumento dei rendimenti delle obbligazioni, col T-bond a 10 anni che lunedì è sceso all’1,606%.

A conclusione delle contrattazioni, il Dow Jones guadagna lo 0,70 a quota 34.113 punti, l’S&P 500 sale dello 0,27% a 4.192 punti e il Nasdaq Composite perde lo 0,48% a quota 13.895 punti.

Quasi tutti in calo i tecnologici con l’eccezione di Apple che guadagna lo 0,82%. Arretrano Alphabet (-0,44%), Twitter (-1,16%, Microsoft (-0,13%), Facebook (-0,77%) e Netflix (-0,85%).

Molto più pesanti le perdite di Tesla (-3,46%) e Amazon (-2,33%).

In calo anche il mercato dei semiconduttori con l’indice PHLX Semiconductor (SOX) che perde l’1,15% a quota 3.073 punti.

Da segnalare il forte calo di AMD (-3,76%), ON Semiconductor (-3,67%) e Skyworks Solutions (-2,75%). Ieri ON Semiconductor ha presentato la trimestrale relativa ai primi tre mesi del 2021 con ricavi per 1,48 miliardi di dollari contro 1,28 miliardi di un anno fa. Nonostante il calo del margine operativo, l’EPS risulta in netta ripresa rispetto ad un anno fa.

Tutti negativi i big del paniere da Intel (-0,47%) a TSMC (-0,69%), da Qualcomm (0,99%) a NVIDIA (-1,15%).

L’unico titolo in controtendenza è il costruttore olandese di impianti litografici ASML che guadagna l’1,27%.


ASIA

Chiuse le borse cinesi e quella di Tokyo per festività, arretrano tutte le altre piazze asiatiche.

Perde l’1,28% a quota 28.357 l’Hang Seng di Hong Kong con i tecnologici che contengono i danni: SMIC arretra dell’1,20%, Alibaba perde lo 0,53%, Xiaomi lo 0,61% e Baidu lo 0,68%; in controtendenza Tencent che guadagna lo 0,28%.

Arretra anche l’indice KOSPI coreano che perde lo 0,66%. Da segnalare il recupero del produttore di memorie SK Hynix (+2,73%) dopo un periodo di continui ribassi.

Decisamente più pesante la perdita dell’indice Taiex di Taipei che perde l’1,96% trascinato al ribasso dai tecnologici, in particolare da MediaTek che, dopo i forti guadagni di venerdì, perde il 6,75%. Arretrano anche TSMC (-2,00%) e UMC (-3,07%).


EUROPA
  

Timida ripresa delle borse europee dopo la diffusione degli indici PMI, tutti superiori alle aspettative: il Pmi manifatturiero nell’Eurozona è salito a 62,9 punti rispetto ai 62,5 di marzo, quello italiano è salito dai 59,8 punti di marzo ai 60,7 di aprile.

Lo STOXX Europe 600 guadagna lo 0,53% mentre a Milano l’FTSE MIB sale dello 0,58% a quota 24.419 punti.

Sulla scia del Nasdaq Composite e degli indici tecnologici americani, in calo da due giorni, perde l’1,48% STMicroelectronics a quota 30,70 euro; arretrano anche ASML (-0,17%) e NXP Semiconductors (-0,81%). In controtendenza, invece, Infineon Technologies che guadagna lo 0,46% a quota 33,72 euro. Domani, prima dell’apertura dei mercati, Infineon presenterà i dati relativi al primo trimestre 2021.

 

Per quanto riguarda i nuovi prodotti, Infineon Technologies ha fatto ieri due annunci.

Il primo riguarda un nuovo modulo di alimentazione con tecnologia MOSFET CoolSiC per il mercato automobilistico.

Immagine: Infineon Technologies

Il dispositivo di potenza HybridPACK Drive CoolSiC è un modulo full-bridge con tensione massima di 1200 V ottimizzato per gli inverter di trazione nei veicoli elettrici (EV).

Il modulo di alimentazione si basa sulla tecnologia CoolSiC trench MOSFET per applicazioni automotive ad alta densità di potenza e ad alte prestazioni. L’elevata efficienza energetica consente di ottenere una maggiore autonomia e costi inferiori per la batteria, in particolare nei veicoli con sistemi a 800 V a grande capacità.

L’HybridPACK Drive è stato introdotto per la prima volta nel 2017, utilizzando la tecnologia EDT2 al silicio di Infineon, ottimizzata per offrire la migliore efficienza su un ciclo di guida reale. Offre una gamma di potenza scalabile da 100 kW a 180 kW nella classe 750 V e 1200 V. Questo prodotto è il modulo di alimentazione leader di mercato con oltre un milione di pezzi spediti per oltre 20 piattaforme di veicoli elettrici. La nuova versione CoolSiC si basa sulla struttura trench MOSFET in carburo di silicio. Rispetto alle strutture planari, la tecnologia trench consente una maggiore densità con la migliore cifra di merito. Ciò significa che i MOSFET realizzati con tecnologia trench possono essere utilizzati con inferiore intensità del campo di gate, con conseguente maggiore affidabilità.

Il modulo di alimentazione consente di passare facilmente da una soluzione al silicio ad una al carburo di silicio con un ingombro simile. La nuova soluzione consente all’inverter di raggiungere una potenza maggiore, fino a 250 kW nella classe 1200 V, una maggiore autonomia, batterie più piccole e costi di sistema ottimizzati. Al fine di offrire un rapporto costo-prestazioni ottimale per diversi livelli di potenza, questo prodotto è disponibile in due versioni con chip differenti, con correnti di 200 A DC o 400 A nella classe 1200 V.

La prima generazione della tecnologia MOSFET automobilistica CoolSiC è ottimizzata per l’uso negli inverter di trazione, con l’obiettivo di ottenere le perdite di conduzione più basse, specialmente in condizioni di carico parziale. Combinato con basse perdite di commutazione dei MOSFET in carburo di silicio, ciò consente un aumento dell’efficienza nel funzionamento dell’inverter rispetto agli IGBT al silicio.

Oltre a ottimizzare le prestazioni, Infineon pone grande enfasi sull’affidabilità. I MOSFET Automotive CoolSiC sono progettati e testati per ottenere resistenza ai cortocircuiti, un alto grado di protezione nei confronti dei raggi cosmici e grande robustessa dell’ossido di gate. Tutte caratteristiche chiave per realizzare inverter di trazione per impiego automobilistico efficienti e affidabili, nonché altre applicazioni ad alta tensione. Il modulo di alimentazione HybridPACK Drive CoolSiC è conforme alla norma AQG324 per i moduli di alimentazione automobilistici.

Il nuovo HybridPACK Drive CoolSiC è già in produzione e sarà disponibile a partire da giugno 2021. Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.

 

Il secondo annuncio riguarda l’espansione della Famiglia XDP di controller per conversione switching aggiungendo il primo prodotto standard specifico per l’applicazione basato su una topologia flyback half-bridge asimmetrica.

Immagine: Infineon Technologies

Disponibile in package DSO-14 SMD, XDPS2201 è un controller flyback ibrido multimodale, digitale e configurabile, altamente integrato, progettato per alimentatori AC-DC ad elevata densità, e applicazioni di caricatori e adattatori rapidi USB PD.

L’XDPS2201 combina la semplicità di una topologia flyback tradizionale con le prestazioni di un convertitore risonante. Questa combinazione consente una commutazione morbida naturale, che riduce le perdite di commutazione associate a progetti con frequenza di commutazione elevata. Il controller consente la commutazione a tensione zero (ZVS) e la commutazione a corrente zero (ZCS) su ingressi di linea CA, con condizioni di carico e tensioni di uscita variabili. Questa funzione è estremamente vantaggiosa per i progetti ad alta frequenza che utilizzano un trasformatore planare come quelli che si trovano nelle applicazioni dei caricabatterie USB PD.

Per ottenere prestazioni ottimizzate in varie condizioni di tensione di uscita, carico e ingresso di linea, XDPS2201 è dotato di un algoritmo digitale, intelligente e autoadattativo. Supporta un’operazione multimodale per garantire che venga selezionata la modalità operativa più adatta per ciascuna condizione in modo da ottenere sempre un elevato livello di efficienza. Il controller flyback ibrido integra anche una suite completa di funzioni di protezione, tra cui brown-in e -out, sovracorrente con doppio livello, sovratensione in uscita, sottotensione in uscita e rilevamento della sovratemperatura.

La topologia flyback a semiponte asimmetrico consente l’implementazione di MOSFET CoolMOS per ottenere la massima efficienza del sistema e la massima densità di potenza. L’XDPS2201 gestisce MOSFET sia high-side che low-side con controllo asimmetrico. Il prodotto è dotato di un driver high-side integrato che consente di risparmiare fino a 20 componenti esterni. La topologia consente un design senza snubber e l’uso di MOSFET ad alta tensione da 500 V in su. Ciò riduce il numero e il costo dei componenti.

L’XDPS2201 supporta progetti con la più alta densità di potenza con un’efficienza fino al 93,8% e oltre, con una media del 92% nelle differenti condizioni operative.

L’XDPS2201 è già disponibile in package DSO-14 SMD. Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.