martedì, Giugno 25, 2024
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Mitsubishi Electric costruirà un nuovo impianto di wafer per incrementare il business dei semiconduttori di potenza SiC

Rendering del nuovo impianto di wafer SiC da 8 pollici.

La società raddoppierà il precedente piano di investimenti quinquennale a circa 260 miliardi di yen ( 2 miliardi di dollari) fino a marzo 2026.

Mitsubishi Electric Corporation ha annunciato che raddoppierà il piano di investimenti precedentemente annunciato a circa 260 miliardi di yen (2 miliradi di dollari circa) nel quinquennio fino a marzo 2026, principalmente per la costruzione di un nuovo impianto di wafer per aumentare la produzione di semiconduttori di potenza in carburo di silicio (SiC). Con questa iniziativa, Mitsubishi Electric prevede di riuscire a rispondere alla domanda in rapido aumento di semiconduttori di potenza SiC per veicoli elettrici, nonché all’espansione dei mercati per nuove applicazioni che richiedono, ad esempio, basse perdite di energia, funzionamento ad alta temperatura o commutazione ad alta velocità. Il piano consentirà inoltre a Mitsubishi Electric di contribuire al trend globale di trasformazione verde verso il risparmio energetico e la decarbonizzazione.
Una parte importante dell’aumento dell’investimento, circa 100 miliardi di yen, sarà utilizzata per costruire un nuovo impianto di wafer SiC da 8 pollici e migliorare le relative strutture di produzione. Il nuovo stabilimento, che incorporerà una struttura di proprietà nell’area di Shisui, nella prefettura di Kumamoto, produrrà wafer SiC da 8 pollici di grande diametro, introdurrà una camera bianca caratterizzata da un’efficienza energetica all’avanguardia e un’efficienza produttiva automatizzata di alto livello. Inoltre, l’azienda potenzierà i propri impianti di produzione di wafer SiC da 6 pollici per soddisfare la crescente domanda anche in questo settore.
Mitsubishi Electric investirà anche 10 miliardi di yen circa in un nuovo stabilimento che consoliderà le attività esistenti, attualmente disperse nell’area di Fukuoka, per l’assemblaggio e l’ispezione dei semiconduttori di potenza. L’integrazione della verifica della tecnologia di progettazione, sviluppo e produzione migliorerà notevolmente le capacità di sviluppo dell’azienda e faciliterà la produzione di massa in risposta alla domanda di mercato. I restanti 20 miliardi di yen, tutti nuovi investimenti, saranno destinati a miglioramenti delle attrezzature, disposizioni ambientali e operazioni correlate.

Nel corso degli anni, Mitsubishi Electric ha guidato il mercato dei moduli di potenza SiC in settori quali elettrodomestici, apparecchiature industriali e sistemi ferroviari, compresi i primi moduli di potenza SiC al mondo per condizionatori d’aria e treni ad alta velocità, ed ha accumulato una vasta esperienza nei sistemi ad alte prestazioni, nelle tecnologie ad alta affidabilità per lo screening e in molti altri aspetti della produzione di semiconduttori di potenza al carburo di silicio.