Dopo l’azione legale intentata l’anno scorso da EPC nei confronti di Innoscience, oggi è Infineon a portare in giudizio l’azienda cinese.
Infineon Technologies ha annunciato oggi di aver intentato – attraverso la sua controllata Infineon Technologies Austria AG – un’azione legale contro Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd. e Innoscience America, Inc.
Infineon chiede un’ingiunzione permanente per violazione di un brevetto statunitense relativo alla tecnologia al nitruro di gallio (GaN) di proprietà dell’azienda. Le rivendicazioni del brevetto coprono gli aspetti fondamentali dei semiconduttori di potenza GaN e comprendono innovazioni che garantiscono l’affidabilità e le prestazioni dei dispositivi GaN proprietari di Infineon. La causa è stata intentata presso il tribunale distrettuale del distretto settentrionale della California.
Infineon sostiene che Innoscience viola il brevetto Infineon sopra menzionato producendo, utilizzando, vendendo, offrendo in vendita e/o importando negli Stati Uniti vari prodotti, inclusi transistor GaN per numerose applicazioni, nel settore automobilistico, dei data center, dell’energia solare, degli azionamenti per motori, dei beni di consumo di elettronica e dei prodotti correlati utilizzati in applicazioni automobilistiche, industriali e commerciali.
I commenti
“La produzione di transistor di potenza al nitruro di gallio richiede progetti e processi di semiconduttori completamente nuovi“, ha affermato Adam White, presidente della divisione Power & Sensor Systems di Infineon.
“Con quasi due decenni di esperienza nela tecnologia GaN, Infineon può garantire la qualità richiesta per le massime prestazioni nei rispettivi prodotti finali. Proteggiamo vigorosamente la nostra proprietà intellettuale e quindi agiamo nell’interesse di tutti i clienti e utenti finali”.
Infineon investe da decenni in ricerca e sviluppo, sviluppo di prodotti e competenze produttive legate alla tecnologia GaN. Con questa azione Infineon intende difendere i propri investimenti.
Il 24 ottobre 2023, Infineon ha annunciato il perfezionamento dell’acquisizione di GaN Systems Inc., diventando uno dei principali produttori di dispositivi GaN ed espandendo ulteriormente la propria posizione di leader nei semiconduttori di potenza.
Infineon è leader del settore con il suo portafoglio di brevetti GaN, che comprende circa 350 famiglie di brevetti. Gli analisti di mercato prevedono che i ricavi GaN per le applicazioni legate all’energia cresceranno con un CAGR del 49% fino al 2028 quando il mercato globale raggiungerà quota 2 miliardi di dollari (fonte: Yole, Power SiC e GaN Compound Semiconductor Market Monitor Q4 2023).
Il nitruro di gallio è un semiconduttore wide gapband con prestazioni di commutazione superiori che consente dimensioni più piccole, efficienza più elevata e sistemi di alimentazione a basso costo.
