Sfruttando la tecnologia CoolSiC MOSFET G2 di Infineon, i nuovi prodotti consentono di progettare con una densità di potenza superiore di oltre il 30% e una durata fino a 20 volte superiore rispetto alla precedente generazione di MOSFET CoolSiC.
Applicazioni industriali come la ricarica rapida in corrente continua di veicoli elettrici (EV), la ricarica megawatt, i sistemi di accumulo di energia e i gruppi di continuità operano in condizioni difficili e con profili di carico variabili. Questi sistemi richiedono elevata efficienza, una solida capacità di power cycling e una lunga durata. Per soddisfare questi requisiti, Infineon Technologies lancia EasyPACK C, la nuova generazione della sua famiglia di package EasyPACK. I primi prodotti di questo nuovo package sono moduli di potenza in carburo di silicio (SiC) che integrano i MOSFET CoolSiC 1200 V G2 di Infineon e la tecnologia di interconnessione proprietaria .XT.
Riducendo le perdite statiche e migliorando l’affidabilità, i moduli contribuiscono a soddisfare la crescente domanda di energia e gli obiettivi di sostenibilità nelle applicazioni industriali.
Sfruttando la tecnologia CoolSiC MOSFET G2 di Infineon, i nuovi prodotti consentono di progettare con una densità di potenza superiore di oltre il 30% e una durata fino a 20 volte superiore rispetto alla precedente generazione di MOSFET CoolSiC. Inoltre, offrono una significativa riduzione di RDS(ON), con un miglioramento di circa il 25%. Inoltre, il nuovo concetto di alloggiamento EasyPACK C migliora la densità di potenza e la flessibilità di layout, aprendo la strada a progetti futuri con classi di tensione più elevate. La tecnologia di interconnessione proprietaria .XT di Infineon prolunga ulteriormente la durata del dispositivo.
Caratteristiche tecniche
I moduli resistono a condizioni di commutazione di sovraccarico fino a T vj(over) = 200 °C. Includono nuovi pin PressFIT che raddoppiano la capacità di corrente, riducono le temperature a livello di PCB e migliorano il processo di montaggio. Un nuovo materiale plastico e gel di silicone supportano temperature di esercizio fino a Tvj(op) = 175 °C. Inoltre, i moduli offrono un grado di isolamento di 3 kV AC per un minuto. Queste caratteristiche contribuiscono a un’eccezionale efficienza del modulo e del sistema, a una maggiore durata e a una resilienza alle alte temperature.
I nuovi moduli nel package EasyPACK C sono disponibili in varie topologie, tra cui configurazioni a 3 livelli e a ponte H, con opzioni con e senza materiale di interfaccia termica.
I primi moduli con tecnologia CoolSiC MOSFET G2 nel package EasyPACK C sono già disponibili.
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