ROHM ha annunciato la fine dei lavori di costruzione di un nuovo edificio presso lo stabilimento Apollo a Chikugo (Giappone) destinato ad aumentare la capacità produttiva di dispositivi di potenza SiC.
Il nuovo edificio, un impianto eco-compatibile all’avanguardia, adotta numerose tecnologie per il risparmio energetico ed utilizza elettricità proveniente al 100% da fonti di energia rinnovabile.
Oltre a ciò l’impianto adotta un sistema di gestione della continuità operativa (BCM, Business Continuity Management) con numerosi accorgimenti in grado di fronteggiare disastri di differente natura. A gennaio 2021 inizierà l’installazione delle linee di produzione che saranno in grado di fare fronte agli incrementi della domanda a medio e lungo termine di dispositivi di potenza SiC.
ROHM, che dal 2010 ha avviato la produzione in volumi di dispositivi di potenza SiC, compresi SBD e MOSFET, continua a guidare lo sviluppo tecnologico del settore; l’azienda, ad esempio, è stata la prima ad introdurre in questo settore i moduli di potenza full SiC e i MOSFET SiC di tipo trench. Al contempo, grazie al suo sistema di produzione integrato, ROHM sta lavorando per migliorare l’efficienza produttiva aumentando il diametro dei wafer e utilizzando impianti di ultima generazione, riducendo di pari passo l’impatto ambientale.
Oltre a questo nuovo edificio, SiCrystal GmbH, società del Gruppo ROHM che produce wafer SiC, prevede di utilizzare fonti energetiche rinnovabili per coprire in toto il proprio fabbisogno energetico portando a zero le emissioni di CO2 dello stabilimento. Tutti i principali processi produttivi saranno così alimentati con energia rinnovabile.
L’avvio della produzione nel nuovo insediamento produttivo Apollo di Chikugo è previsto per l’inizio del 2022.
