Si tratta del primo di una serie di sei dispositivi con supporto alla connessione back-to-back di MOSFET a canale N esterni.
Toshiba Electronics introduce il gate driver MOSFET TCK421G in grado di controllare la tensione di gate di un MOSFET a canale N esterno in base alla tensione di ingresso.
Il gate driver a MOSFET è adatto per configurare un multiplexer di potenza o un circuito di commutazione del carico dotato di blocco della corrente inversa in combinazione con una connessione back-to-back di MOSFET a canale N esterni.
Il TCK421G incorpora un circuito a pompa di carica che supporta un’ampia gamma di tensioni in ingresso (VIN) da 2,7 a 28,0V, e fornice un’alimentazione stabile di 10 V alla tensione gate-source dei MOSFET esterni, agevolando così la commutazione di correnti elevate. La tipica corrente di riposo in ingresso nello stato di ON (IQ(ON)) è di soli 140µA mentre la corrente in standby nello stato di OFF (IQ(OFF)) è di appena 0,5µA. Inoltre, il TCK421G include una funzione di blocco delle sovratensioni. È possibile selezionare la tensione di pilotaggio del gate in base ai requisiti dell’applicazione. Alloggiato nel package chip scale WCSP6G, il dispositivo presenta un ingombro di soli 1,2mm x 0,8mm e un’altezza di 0,35mm. Si tratta di uno dei package più piccoli sul mercato che ne consente l’impiego in dispositivi con elevata densità come gli smartphone.
Il TCK421G è il primo prodotto della serie che comprenderà sei dispositivi. Grazie alla sua elevata efficienza e alle dimensioni ridotte, il nuovo driver può essere utilizzato in un’ampia gamma di applicazioni, compresi gli apparecchi alimentati a batteria, consumer e industriali.
Il gate driver TCK421G è già in produzione.
