Toshiba espande la gamma di moduli da 3.300 V con MOSFET e SBD in carburo di silicio (SiC) di terza generazione

I nuovi Moduli da 3.300V con MOSFET SiC di Toshiba contribuiscono a incrementare l’efficienza energetica e a ridurre le dimensioni delle apparecchiature industriali di potenza.

Toshiba ha ampliato la sua gamma di moduli MOSFET SiC chopper con le versioni “MG800FXF1ZMS3” e “MG800FZF1JMS3” che presentano valori nominali di 3.300 V e 800 A utilizzando MOSFET e SBD in carburo di silicio (SiC) di terza generazione e che sono adatti ad impianti e attrezzature industriali di potenza.

I nuovi prodotti MG800FXF1ZMS3 e MG800FXF1JMS3 adottano un package iXPLV con tecnologia di fissaggio interno a sinterizzazione d’argento (Ag) ed elevata compatibilità con il montaggio. I dispositivi offrono una bassa perdita di conduzione con una bassa tensione di alimentazione drain-source (ON) di 1,3 V (tip.) e offrono altresì una bassa perdita di commutazione di 230 mJ (tip.) all’accensione e di 230 mJ (tip.) allo spegnimento.

Tutto ciò contribuisce a ridurre le perdite di potenza delle apparecchiature nonché le dimensioni del sistema di raffreddamento.
La gamma di moduli MOSFET di Toshiba in package iXPLV comprende così tre prodotti, incluso il prodotto esistente MG800FXF2YMS3 (modulo MOSFET 3300 V / 800 A / doppio SiC). Aumenta così la possibilità di scelta da parte dei clienti. Questi prodotti possono essere utilizzati negli inverter a 2 livelli, nei convertitori buck/boost e negli inverter a 3 livelli.

Toshiba continuerà ad espandere la famiglia di prodotti per soddisfare le esigenze del mercato in termini di efficienza e ridimensionamento delle apparecchiature industriali.

Applicazioni

Equipaggiamento industriale

• Invertitori e convertitori per veicoli ferroviari
• Sistemi di generazione di energia da fonti rinnovabili
• Apparecchiature di controllo motore per apparecchiature industriali

Caratteristiche

• Low drain-source on-voltage (sense):
  V_DS(on)sense=1.3 V (typ.) (I_D=800 A, V_GS=+20 V, T_ch=25 °C)
• Low turn-on switching loss:
  E_on=230 mJ (typ.) (V_DD=1800 V, I_D=800 A, T_ch=175 °C)
• Low turn-off switching loss:
  E_off=230 mJ (typ.) (V_DD=1800 V, I_D=800 A, T_ch=175 °C)