martedì, Dicembre 3, 2024
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Nuova famiglia EiceDRIVER Power di Infineon: alimentazione compatta per gate driver isolati

Infineon EiceDRIVER Power 2EP1xxR

Infineon Technologies ha annunciato oggi il lancio della famiglia EiceDRIVER Power 2EP1xxR, una gamma di driver per trasformatori full-bridge progettata per alimentatori destinati ai gate driver IGBT, SiC e GaN. Con questa innovativa linea di prodotti, Infineon amplia il proprio portafoglio di soluzioni per dispositivi di potenza, offrendo ai progettisti un’alternativa efficiente e compatta per alimentare gate driver isolati.

Grazie ai dispositivi della famiglia 2EP1xxR, è possibile implementare tensioni di uscita asimmetriche, ottimizzando l’alimentazione dei gate driver in modo conveniente e con un ingombro minimo. Questo rende la nuova famiglia particolarmente adatta a una vasta gamma di applicazioni industriali e di consumo, tra cui:

  • Impianti solari
  • Sistemi di ricarica per veicoli elettrici
  • Sistemi di accumulo di energia
  • Sistemi di saldatura
  • Gruppi di continuità (UPS)
  • Applicazioni di azionamento motori

Caratteristiche principali della famiglia EiceDRIVER Power

La famiglia 2EP1xxR è racchiusa in un compatto package TSSOP8, che integra funzionalità avanzate per generare tensioni di uscita asimmetriche. Tra le principali caratteristiche spiccano:

  • Ampia gamma di tensioni di ingresso, fino a 20 V.
  • Protezione integrata contro temperatura eccessiva, cortocircuiti e blocchi di sottotensione (UVLO), per prevenire guasti e garantire l’affidabilità del sistema.
  • Ottimizzazione per alimentare driver di gate asimmetrici, grazie alla capacità esclusiva di regolazione del duty-cycle.

Questa gamma versatile si adatta facilmente a numerosi scenari applicativi, fornendo soluzioni scalabili e flessibili.

Varianti disponibili

La famiglia 2EP1xxR comprende quattro varianti, ognuna ottimizzata per specifiche esigenze progettuali:

  • 2EP100R e 2EP101R: Ideali per progetti che richiedono un numero ridotto di componenti, perfetti per alimentatori con gate driver IGBT e MOSFET SiC.
  • 2EP110R: Progettato per applicazioni che necessitano di una regolazione precisa del ciclo di lavoro, consentendo di adattare il rapporto di tensione di uscita ai requisiti specifici di interruttori di potenza SiC e GaN.
  • 2EP130R: La soluzione più flessibile, pensata per progetti che richiedono un’elevata personalizzazione. Questa variante include:
    • Protezione da sovracorrente a 5 stadi,
    • 41 frequenze di commutazione selezionabili o sincronizzabili con un PWM esterno,
    • 41 opzioni di duty-cycle, per regolare con precisione la tensione di uscita.

Disponibilità e supporto alla valutazione

Tutte le quattro varianti della famiglia EiceDRIVER Power 2EP1xxR sono già disponibili. Per facilitare la valutazione e l’integrazione nelle applicazioni, Infineon mette a disposizione i seguenti kit di valutazione:

Questi strumenti offrono ai progettisti una piattaforma pratica per testare e ottimizzare i dispositivi nei propri progetti.

Per ulteriori informazioni e dettagli tecnici, è possibile consultare il sito web di Infineon al seguente link.