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News semiconduttori e mercati: settimana dal 15 al 19 febbraio 2021

AMERICA & GLOBAL

Settimana caratterizzata dalla diffusione dei dati relativi alle vendite al dettaglio di gennaio che hanno evidenziato una robusta ripresa degli acquisti dopo tre mesi di stagnazione. Questo ed altri fattori hanno portato ad un incremento dei rendimenti dei titoli di Stato ed al timore di una ripresa dell’inflazione.

Ciò ha provocato un minore interesse verso il mercato azionario, e in ogni caso allo spostamento degli acquisti verso settori che potrebbero trarre maggior beneficio da una nuova ripresa dell’economia, ovvero verso i comparti industriali, dell’energia e della finanza, mentre i titoli tecnologici hanno subito una battuta d’arresto.

Questo trend ribassista non ha coinvolto le aziende dell’industria dei semiconduttori, che fanno sicuramente parte di quelle ad alta tecnologia ma che hanno anche una solida base industriale.

A conclusione della settimana di borsa l’indice Dow Jones (che comprende prevalentemente titoli industriali) ha guadagnato lo 0,11% a quota 31.494,32 punti mentre l’S&P 500 è arretrato dello 0,71% a quota 3.906,71 punti.

Più consistente la perdita del Nasdaq Composite che in settimana perde l’1,57% a quota 13.874,46 punti.

Tra i titoli tecnologici più importanti arretrano Apple (-4,06%), Tesla (-4,27%), Facebook (-3,30%) e Microsoft (-1,64%).

In controtendenza Twitter che guadagna lo 0,53%.

Venerdì il PHLX Semiconductor (SOX), l’indice dell’industria dei semiconduttori, ha chiuso a 3.223,46 punti mettendo a segno un guadagno settimanale dello 0,12%.

In evidenza, all’interno di questo paniere, Micron che guadagna in settimana il 3,35%, Intel che sale dell’1,94%, Applied Materials che avanza del 2,37% e Silicon Labs che guadagna il 5,51%.

Tra i peggiori, AMD (-4,47%), Xilinx (-4,83%), Marvell (-3,59%) e Qualcomm (-2,05%).

Alla borsa americana prosegue la stagione delle trimestrali. Questa settimana è stata la volta di Applied Materials che ha diffuso i risultati relativi al quarto trimestre 2020 (Q1F21), numeri che hanno superato le stime degli analisti.

La società, che produce impianti e offre servizi per l’industria dei semiconduttori, una delle prime al mondo in questo campo, ha ottenuti nel trimestre ricavi per 5,16 miliardi contro i 4,16 miliardi del trimestre di un anno fa. L’utile netto nel periodo è stato di 1,13 miliardi contro gli 892 milioni del 2019.

Per il primo trimestre del 2021 la società prevede ricavi tra 5,19 e 5,59 miliardi di dollari. La società ha una capitalizzazione di borsa di 104 miliardi circa con un P/E ratio pari a 29.

In settimana il titolo Applied Materials è salito del 5,72%

Tra le società ad elevato contenuto tecnologico, da segnalare l’ottimo bilancio di Pay Pal le cui azioni sono salite in settimana del 10,74%.

Nel 2020 PayPal ha gestito transazioni per 936 miliardi di dollari (+31%), ha fatturato 21,45 miliardi (+22%) ed ha chiuso il bilancio con un utile operativo di 3,29 miliardi (+21%). L’utile per azione è salito a 3,54 dollari (+71%) e la società prevede di raddoppiare i suoi account attivi entro il 2025.

Anche Lattice Semiconductor, azienda specializzata in dispositivi logici programmabili, FPGA, CPLD e SPLD, ha rilasciato i dati del Q4 FY2020 e dell’intero anno 2020.

Nel quarto trimestre l’azienda ha ottenuto ricavi per 107,17 milioni di dollari in crescita del 4% rispetto al trimestre precedente e del 6,9% rispetto allo stesso trimestre del 2019. L’utile netto del periodo – di 15,98 milioni – è del 26,8% superiore rispetto al trimestre precedente e del 14,3% rispetto ad un anno fa.

Nel 2020 i ricavi hanno raggiunto i 408,12 milioni di dollari in aumento dell’1% rispetto al 2019; l’utile netto è stato di 47,39 milioni, in aumento del 9% rispetto al 2019.

Per il prossimo trimestre la società prevede vendite comprese tra 106 e 114 milioni di dollari con un margine operativo del 61,5%, in miglioramento rispetto al Q4 FY2020. In settimana le azioni di Lattice sono arretrate dello 0,39%.

Martedì anche Diodes Incorporated ha diffuso i dati finanziari relativi all’ultimo trimestre 2020 e all’intero anno fiscale 2020.

Questi dati comprendono solo parzialmente (l’integrazione completa è del 30 novembre) le vendite di prodotti Lite-On Semiconductor (LSC), società acquisita lo scorso anno.

Nel quarto trimestre Diodes ha realizzato vendite per 350,4 milioni di dollari (16,9 attribuibili a LSC) contro i 301,2 dello stesso periodo del 2019. Se le vendite sono aumentate, l’utile netto è sceso da 47,2 a 29,7 milioni di dollari.

Nell’intero anno 2020, le vendite hanno raggiunto 1,229 miliardi, in calo del 2% rispetto ai 1,249 miliardi del 2019. Anche in questo caso l’utile netto è sceso da 153,2 a 98,0 milioni di dollari in calo del 36%. Per il primo trimestre 2021, la società prevede ricavi per 400 milioni di dollari con un utile netto di 45,7 milioni.

Il titolo ha chiuso la settimana con un guadagno del 2,39%.

Infine, tra le aziende del comparto dei semiconduttori, va segnalato il balzo di venerdì di Silicon Labs (+10,43%) a seguito di un articolo di Bloomberg nel quale si ipotizza la vendita della divisione Analog della società per una cifra compresa tra 2 e 3 miliardi di dollari. Silicon Labs ha rifiutato di commentare la notizia.

 

ASIA

Settimana caratterizzata dai molti giorni di chiusura dei mercati a causa del Capodanno cinese; in ogni caso, a conclusione della settimana, e nonostante il rallentamento di venerdì, chiudono tutte positive le borse asiatiche.

L’indice Shanghai Composite guadagna l’1,12%, l’Hang Seng avanza dell’1,56%.

Alla borsa di Hong Kong da segnalare le performance di SMIC (+7%) e, soprattutto di Xiaomi (+9,27%) sulla scia di indiscrezioni che danno per imminente, sull’esempio di Apple, l’entrata della società nel mercato automobilistico, con la progettazione e produzione di una propria vettura.

In Corea sale dello 0,23% l’indice generale, il KOSPI, mentre guadagna il 5,56% il produttore di memorie SK hynix, a seguito dei report, tutti ampiamente positivi, sull’andamento del mercato delle memorie nel 2021.

Settimana positiva anche per la borsa di Taiwan che guadagna il 3,41%; ottima la performance di UMC che sale dell’8,1%.

Nonostante il rallentamento di venerdì, continua a guadagnare il Nikkei 225 che chiude la settimana con un incremento dell’1,69% a quota 30.017,92 punti.

Qualche difficoltà per le aziende dei semiconduttori, in particolare per Renesas che perde il 4,06%.

Questo calo fa seguito alla chiusura dell’impianto produttivo Renesas di Naka nella prefettura di Ibaraki, a nord-est di Tokyo, dopo che gran parte del Giappone nord-orientale è stato colpito da una scossa di terremoto di magnitudo 7,3. La zona è la stessa del disastroso terremoto di Fukushima del 2011, ed anche in questo caso il sisma è avvenuto al largo, in mare, a 63 km di profondità.

La scossa, che è stata registrata alle 23,07 di sabato 13 febbraio, non ha causato vittime ma ha prodotto l’interruzione delle forniture di elettricità e di acqua.

A seguito della mancanza di energia elettrica, gli impianti di Renesas sono stati bloccati e attualmente i tecnici della società stanno valutando eventuali danni. In occasione del terremoto del 2011, gli impianti di Naka, dove vengono prodotti chip per automotive su wafer da 300 mm, restarono chiusi per tre mesi. Alla fine di questa settimana sembra che gli impianti siano tornati completamente operativi.

 

EUROPA

Borse contrastate in Europa con Milano che, nonostante il recupero di venerdì, chiude la settimana in calo dell’1,17%.

Contrastati anche gli indici delle principali aziende di semiconduttori con STMicroelectronics che chiude la settimana con una perdita dell’1,93% a quota 34,62 euro mentre Infineon Technologies guadagna il 2,92% a quota 36,60 euro.

Arretrano anche ASML (-0,15%) e ams (-1,63%).

 

PRODOTTI

Per quanto riguarda i nuovi prodotti presentati in settimana, Samsung Electronics ha annunciato di aver sviluppato la prima memoria HBM (High Bandwidth Memory) del settore con capacità di elaborazione AI integrata. Samsung ha chiamato questa nuova memoria HBM-PIM. La nuova architettura PIM (Processing-in-Memory) offre potenti capacità di elaborazione AI all’interno di una memoria ad alte prestazioni, ideale per accelerare l’elaborazione su larga scala nei data center, nei sistemi HPC (High Performance Computing) e nelle applicazioni mobili abilitate AI.

Sempre a proposito di memorie, una importante novità arriva da Kioxia e Western Digital che hanno annunciato la sesta generazione della loro tecnologia BiCS 3D NAND a 162 strati e con un die del 40% più piccolo rispetto alla precedente tecnologia BiCS a 112 strati di 5^ generazione.
Con questo annuncio, Xioxia (ex Toshiba Memory) e Western Digital si allineano alla tecnologia dei principali concorrenti (Micron, Samsung e SK Hynix) che hanno in produzione memorie 3D a 176 strati.

Numerosi gli annunci di questa settimana da parte di STMicroelectronics. La multinazionale italo-francese  ha rilasciato un progetto di riferimento USB Type-C Power Delivery 3.0 con supporto per alimentatore programmabile (PPS), in grado di accelerare la progettazione di adattatori di alimentazione facili da usare, compatti ed efficienti fino a 27 W, con funzionamento a potenza zero quando nessun carico è connesso. USB PPS aiuta a risparmiare energia e ridurre i tempi di ricarica del dispositivo e la dissipazione del calore, contribuendo anche a ridurre i costi della distinta base.
Questo progetto di riferimento (STEVAL-USBPD27S) combina il microcontrollore STM32G071, che integra un controller Power Delivery USB Type-C completo su chip, con il controller PWM all’avanguardia STCH03 e la protezione USB Type-C TCPP01-M12 IC. Con questo progetto di riferimento, gli utenti possono costruire rapidamente adattatori di alimentazione USB a ricarica rapida che soddisfano i rigorosi requisiti europei CoC versione 5 Tier-2 e US DOE Livello VI per un’efficienza media minima di quattro punti in modalità attiva e alimentazione in standby inferiore a 40 mW.

Oggetto del secondo annuncio è un piattaforma hardware/software per microcontrollori STM32 dedicata alla visione artificiale, in grado di aiutare lo sviluppo di applicazioni Edge supportate dall’intelligenza artificiale.
Un nuovo pacchetto di funzioni firmware AI e un bundle hardware con modulo fotocamera di STMicroelectronics consentono agli sviluppatori embedded di creare potenti applicazioni di visione artificiale in esecuzione localmente, sull’Edge, su microcontrollori STM32.
Il pacchetto di funzioni STM32Cube, FP-AI-VISION1, contiene diversi esempi di codice che realizzano applicazioni complete di visione artificiale basate su una rete neurale convoluzionale (CNN) che gira su STM32H747, risorsa facilmente trasportabili su tutti gli MCU STM32. Il firmware dispone di diversi esempi di applicazioni, ma consente agli sviluppatori di addestrare le reti neurali con la propria scelta di set di dati, offrendo libertà e flessibilità per affrontare un’ampia varietà di casi d’uso.

Col terzo annuncio STMicroelectronics ha presentato un ecosistema di sviluppo per il suo chipset modem PLC (Power-Line Communication) ST8500.
Composto da due schede di valutazione destinate alle bande RF a 868 MHz e 915 MHz senza licenza, l’ecosistema aiuta gli utenti a creare e testare rapidamente nodi conformi G3-PLC Hybrid, il primo standard del settore con doppia connettività PLC e RF.
Lanciato nel 2019, il chipset combina il controller ST8500 System-on-Chip (SoC) che esegue il firmware ibrido G3-PLC di ST, con il driver di linea di comunicazione powerline (PLC) STLD1 e la radio sub-GHz S2-LP. I dispositivi contenenti il ​​chipset sono retrocompatibili e interoperabili con qualsiasi rete G3-PLC.
Lo stack di protocolli ibridi di ST si basa sugli standard aperti G3-PLC, IEEE 802.15.4, 6LowPAN e IPv6. Incorporando il supporto per RF Mesh a livello fisico (PHY) e data-link, l’ST8500 combina i punti di forza delle reti powerline e wireless mesh per la comunicazione tra nodi intelligenti per la raccolta di dati.

In settimana, anche Infineon Technologies ha presentato alcune novità di prodotto; tra questi la nuova serie di smart controller IMD110 SmartDriver. Questa famiglia di controller smart motor combina l’iMOTION Motion Control Engine (MCE) con un gate driver trifase in un package compatto. Il gate driver integrato si basa sull’esclusiva tecnologia SOI (silicon-on-insulator) dell’azienda ed è in grado di pilotare un’ampia varietà di MOSFET e IGBT in azionamenti a velocità variabile. La famiglia utilizza l’ultimo MCE 2.0, che fornisce un motore pronto per l’uso e, opzionalmente, il controllo PFC. Applicando l’MCE per il controllo del motore, i clienti possono concentrarsi sulla progettazione del sistema. Le principali applicazioni riguardano i motori elettrici per elettrodomestici, ventilatori e pompe.
I dispositivi IMD110 sono pre-certificati per applicazioni che richiedono sicurezza funzionale secondo UL / IEC 60730. L’iMOTION Motion Control Engine (MCE) di Infineon consente di eliminare l’utilizzo di codice dal processo di sviluppo dell’algoritmo di controllo del motore.
Per l’occasione, Infineon presenta anche il kit di sviluppo iMOTION Modular Application Design Kit (MADK), una piattaforma di sviluppo modulare e flessibile che fornisce un’ampia gamma di opzioni di controllo e di potenza per applicazioni di azionamenti motore fino a 1 kW.

L’altro annuncio di Infineon Technologies riguarda le piattaforme di crypto controller a 32 bit SLC36 / SLC37 da 40 nm con ARM SecurCore SC300 ad alte prestazioni e elevata efficienza energetica. La nuova piattaforma hardware è integrata con una memoria SOLID Flash ed è disponibile con o senza le più recenti soluzioni applicative. Le famiglie di prodotti comprendono anche moduli a doppia interfaccia e contactless, con tecnologie di accoppiamento induttivo e tradizionale.
La piattaforma crypto controller offre prestazioni e flessibilità eccezionali per applicazioni di pagamento, ID, ticketing e accesso senza contatto. Con questi prodotti, Infineon supporta in particolare la crescente tendenza verso dispositivi digitali e connessi che integrano i più recenti requisiti crittografici per AES ed ECC. Le transazioni contactless possono essere protette in modo affidabile mentre i tempi di transazione possono essere ulteriormente ridotti. Ciò qualifica anche la piattaforma tecnologica a 40 nm come base per le soluzioni SECORA, in particolare per applicazioni di pagamento, IoT e ID.
Gli standard supportati sono ISO14443 tipo A/B, ISO18092 (NFC) per interfacce contactless e ISO7816 per interfacce basate su contatto.

Sempre nell’ambito dei dispositivi per la sicurezza, Avnet Silica ha annunciato in settimana la nuova famiglia di prodotti GSMA 3.2 eUICC (embedded universal integrated circuit card) che consente ai fornitori di soluzioni applicative IoT di rendere i loro prodotti a prova di futuro grazie alla possibilità di cambiare facilmente da remoto gli operatori di rete mobile.
Con l’AVeUICC32xxBICS, sviluppato in collaborazione con BICS, non è più necessario, infatti, dover raggiungere o richiamare manualmente i dispositivi finali IoT già implementati sul campo.
AVeUICC32xxBICS viene fornito con un profilo multi-IMSI BICS scalabile, che consente l’accesso a 4G / LTE-M / NB-IoT e connettività 2G e 3G legacy in oltre 200 paesi e su oltre 700 reti mobili in tutto il mondo. AVeUICC32xxBICS è fornito in bundle con connettività BICS prepagata e accesso alla potente piattaforma di gestione della connettività SIM For Things di BICS.
AVeUICC32xxBICS è immediatamente disponibile per la produzione in serie nei formati SIMFit 2FF / 3FF / 4FF (plastica) e MFF2 (chip) in varie opzioni di confezionamento da 10, 50, 500 e 3.000 pezzi, consentendo veramente a qualsiasi progetto industriale, indipendentemente dalle sue dimensioni, di avere accesso a questa tecnologia all’avanguardia. Il prodotto può anche essere fornito in bundle con piani dati di connettività BICS prepagati.

Da parte sua, Microchip Technology ha presentato i suoi amplificatori di rilevamento della corrente high-side, che presentano l’offset più basso del settore tra gli amplificatori di rilevamento della corrente qualificati AEC-Q100 Grade 0.
I dispositivi MCP6C02 e MCP6C04 sono indicati per il monitoraggio di precisione della corrente in applicazioni automobilistiche ad alta temperatura e in ambienti elettricamente rumorosi.
L’amplificatore MCP6C02 è offerto sia in contenitore SOT-23 a 6 pin Grade 1 che in contenitore VDFN 3×3 a 8 pin Grade 0. Con un errore di offset massimo di soli 12 µV, la versione con package VDFN offre la tensione di offset più bassa per qualsiasi amplificatore di rilevamento della corrente high-side Grade 0.
I due nuovi prodotti sono in grado di funzionare in un intervallo di temperatura compreso tra -40° C e +150° C e possono utilizzare resistori di shunt di valore inferiore senza compromettere la risoluzione in virtù del bassissimo errore di offset.
I dispositivi MCP6C02 e MCP6C04 sono inoltre dotati di un filtro contro le interferenze elettromagnetiche (EMI) e di un’architettura a zero-drift. Il filtro EMI aiuta a fornire una protezione aggiuntiva contro le interferenze ad alta frequenza, quali hotspot wireless e altri dispositivi a radiofrequenza, mentre l’architettura a correzione automatica aumenta la precisione nella misurazione di corrente.

Tra i nuovi prodotti, da segnalare il sensore di prossimità TMD2636 di ams che consente l’integrazione di nuove funzionalità negli auricolari wireless con limiti di spazio. Il nuovo circuito occupa il 30% di spazio in meno rispetto alle soluzioni attualmente disponibili, offrendo ai produttori di auricolari TWS una nuova flessibilità nella progettazione del prodotto, fornendo opzioni per ottimizzare le prestazioni, dando così la possibilità di differenziare i propri prodotti in un mercato altamente competitivo.
L’affidabile rilevamento della prossimità eseguito da uno o più sensori TMD2636 consente all’auricolare di accendersi automaticamente quando inserito nell’orecchio e spegnersi quando viene rimosso. Ciò massimizza il risparmio energetico quando l’auricolare non è in uso, fornendo la migliore esperienza utente.
Il modulo sensore TMD2636 integra un emettitore VCSEL (Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser) a infrarossi da 940 nm, fotodiodi di rilevamento IR, sofisticati circuiti di controllo e un rivestimento trasparente in un contenitore da 2,0 mm x 1,0 mm x 0,35 mm. Il sensore ha un consumo medio di corrente in modalità attiva di 70µA e 0,7µA in modalità sleep.

Per quanto riguarda i dispositivi Wide Bandgap, ON Semiconductor ha annunciato una nuova gamma di dispositivi MOSFET in carburo di silicio (SiC) per applicazioni gravose, in cui densità di potenza, efficienza e affidabilità sono aspetti chiave. Sostituendo le tecnologie di commutazione basate sul silicio con i nuovi dispositivi SiC, i progettisti otterranno prestazioni significativamente migliori in applicazioni come i caricabatterie di bordo (OBC) per veicoli elettrici, gli inverter solari, le unità di alimentazione per server (PSU) e i gruppi di continuità (UPS).
Il nuovo dispositivo per impiego automobilistico di ON Semiconductor qualificato AECQ101 e i MOSFET SiC per uso industriale da 650 V si basano sulla tecnologia WBG (wide bandgap) che fornisce prestazioni di commutazione superiori e presenta caratteristiche termiche migliori rispetto al silicio. Ciò si traduce anche in una maggiore efficienza a livello di sistema, migliore densità di potenza, minori interferenze elettromagnetiche (EMI) e dimensioni e peso ridotti.
La nuova generazione di MOSFET SiC di ON Semiconductor utilizza un nuovo design di cella combinato con una tecnologia avanzata a wafer sottile che consente di ottenere la migliore figura di merito Rsp (RDSon x area) per dispositivi con tensione di rottura di 650V.

Da parte sua, Renesas Electronics ha annunciato lo sviluppo di tecnologie per dispositivi SoC (System on Chip) automobilistici utilizzati in applicazioni di sistemi di assistenza alla guida (ADAS) e sistemi di guida autonoma (AD) che mirano a ottimizzare sia le prestazioni che l’efficienza energetica, supportando un elevato livello di sicurezza funzionale. L’annuncio include:
1) Un core acceleratore hardware di rete neurale convoluzionale (CNN) che offre una combinazione avanzata di prestazioni di deep learning pari a 60,4 TPS (trilioni di operazioni al secondo) e un’efficienza energetica di 13,8 TOPS/W; 2) sofisticati meccanismi di sicurezza per il rilevamento rapido e la risposta a guasti hardware casuali. Ciò rende possibile creare un meccanismo di rilevamento ad alta efficienza energetica con un elevato tasso di rilevamento dei guasti; 3) Un meccanismo che consente alle attività software con diversi livelli di sicurezza di operare in parallelo sul SoC senza interferire tra loro, rafforzando così la sicurezza funzionale per il controllo ASIL D. Queste tecnologie sono state applicate, ad esempio, nell’ultimo SoC automobilistico R-Car V3U dell’azienda.

Segnaliamo infine l’annuncio di ROHM Semiconductor relativo alla nuova scheda di Embedded Artists, produttore di SoM embedded  e schede industriali, nella quale viene utilizzato un PMIC altamente integrato di ROHM insieme al processore i.MX 8M Nano di NXP; la nuova scheda iMX8M Nano uCOM è in grado di fornire una soluzione robusta ed economica per applicazioni industriali. Il BD71847AMWV di ROHM è un PMIC di sistema espressamente studiato per i.MX 8M Nano e 8M Mini.
Sviluppata in collaborazione tra Embedded Artists, NXP e ROHM, la scheda uCOM misura solo 45 mm x 42 mm ed utilizza il processore i.MX 8M Nano con quad-core ARM Cortex-A53 e Cortex-M7 con clock di 1,5 GHz / 750 MHz. Il suo basso consumo energetico si adatta alle applicazioni remote alimentate a batteria con cicli di lavoro lungo. La scheda ad alte prestazioni da 13.800 DMIPS include anche: 1 GByte DDR4 2400 MT/s; bus dati a 16 bit; Flash eMMC da 8 GByte integrata; uscita grafica MIPI-DSI e ingresso telecamera MIPI-CSI; USB2.0, Gigabit Ethernet e altre interfacce; modulo Wi-Fi / BT Murata (opzionale) che supporta 802.11 a / b / g / n / ac e BT / BLE 5.0.
Oltre ai rail di alimentazione, al supporto DVFS e al sequencer programmabile, il BD71847AMWV di Rohm integra un pulsante di accensione programmabile, un driver con clock a 32 kHz con uscita bufferizzata, un completo sistema di rilevamento dei guasti nonché vari circuiti di protezione. Queste caratteristiche aiutano a ridurre i tempi di sviluppo, diminuire i rischi e semplificare la progettazione dell’applicazione.