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News semiconduttori e mercati del 4 giugno 2021

AMERICA & GLOBAL

Un altro venerdì positivo per la borsa americana dopo la diffusione dei dati sulla creazione di nuovi posti di lavoro nel mese di maggio che ha visto il numero degli occupati salire di 559 mila unità e il tasso di disoccupazione scendere al 5,8%. I mercati hanno festeggiato non tanto per i nuovi posti di lavoro, quanto per un incremento e una ripresa dell’economia che non è così forte da indurre la Fed a rivedere le sue attuali politiche di acquisto di titoli di Stato e di bassi tassi di interesse.

Gli investitori (e la Fed) sono convinti che dopo altri 2-3 mesi di inflazione elevata, il costo della vita scenderà ai livelli standard (2÷2,5%) e che pertanto i tassi sui prestiti rimarranno fermi fino al 2023.

A conferma che il costo del denaro rimarrà basso, ieri il rendimento del T-bond a 10 anni è sceso all’1,559%, il livello più basso dalla fine di aprile, dall’1,624% di giovedì.

Venerdì il dollaro si è leggermente indebolito mentre il prezzo del petrolio è risultato poco mosso

A conclusione della giornata di scambi, tutti i principali indici hanno segnato discreti guadagni, avvicinandosi ai massimi dell’anno (che poi sono i massimi di sempre).

Il Dow Jones chiude a 34.756 con un incremento dello 0,52%, l’S&P 500 guadagna lo 0,88% a 4.229 punti, tre punti sotto il record storico, e il Nasdaq Composite sale dell’1,47% a quota 13.814 punti.

Giornata particolarmente positiva per i tecnologici e le piattaforme digitali con Alphabet che batte il precedente record con una quotazione di 2.393,57 dollari per azione e un guadagno giornaliero dell’1,96%.

Tesla recupera la perdita del giorno precedente mettendo a segno un incremento del 4,58% a quota 599,05 dollari; ottima anche la performance di Twitter (+3,49%).

Non sono da meno gli altri big del settore, con Microsoft che guadagna il 2,07%, Apple che sale dell’1,90% e Facebook che avanza dell’1,32%; più modesto il guadagno di Amazon, appena lo 0,60%.

Per quanto riguarda i semiconduttori, l’indice PHLX Semiconductor (SOX) sale del 2,39% a quota 3.214 punti.

Prosegue la corsa di NVIDIA che guadagna un altro 3,59% a quota 703,13 dollari; ottime anche le performance di Lattice Semiconductor (+4,17%), IPG Photonics (+4,03%), Monolithic Power Systems (+3,30%) e Marvell (+3,22%).

Tra i titoli più importanti del paniere, Intel guadagna il 2,01%, TSMC sale del 2,30%, Qualcomm mette a segno un +1,94%, Applied Materials guadagna il 2,54% e AMD avanza dell’1,62%.


ASIA

Tutte negative, seppur di poco, le borse asiatiche, con l’eccezione di quelle della Cina continentale con l’indice Shanghai Composite che guadagna lo 0,21% mentre lo Shenzhen Composite sale dello 0,63%.

Ad Hong Kong l’Hang Seng chiude a 28.918 punti, in calo dello 0,17%.

Tutti negativi gli indici tecnologici con SMIC che perde il 2,69%, Alibaba che arretra dello 0,28%, Tencent in calo dello 0,65%, Xiaomi dell’1,50% e Baidu del 3,10%.

A Seoul perdita frazionale per il KOSPI (-0,23%) con Samsung (-0,72%) e SK Hynix (-0,39%) in rosso.

In calo anche il Taiex di Taipei (-0,57%) con tutti i titoli dei semiconduttori che arretrano ad eccezione di UMC che guadagna l’1,66%.

Chiude a 28.941 punti, in calo dello 0,40%, l’indice generale Nikkei 225 della borsa di Tokyo. Contrastati i titoli dell’industria dei semiconduttori con Tokyo Electron (-1,60%) e Rohm (-2,34%) in rosso, mentre guadagnano Renesas (+1,10%) e Advantest (+0,49%).

EUROPA    

Sulla scia di Wall Street e sulla scorta dei dati macroeconomici, chiudono quasi tutte in rialzo le borse europee.

In Italia, secondo le stime dell’Istat, il Pil salirà del 4,7% nel 2021 e del 4,4% nel 2022 mentre l’agenzia di rating Fitch ha confermato l’attuale valutazione BBB- con outlook stabile sul debito italiano.

L’indice STOXX Europe 600 sale venerdì dello 0,39% mentre l’FTSE MIB della borsa di Milano chiude a 25.570 punti con un guadagno dello 0,46%, portando l’incremento settimanale all’1,59% e quello da inizio anno al +15,01%.

Tutti positivi gli indici dell’industria dei semiconduttori con STMicroelectronics che guadagna l’1,51% a quota 30,57 euro mentre Infineon Technologies sale dell’1,01% a quota 33,38 euro. ASML chiude a 558,10 euro con un guadagno dell’1,58% mentre a New York sale dello 0,62% NXP Semiconductors dopo aver chiuso con una perdita dell’1,09% la seduta di borsa a Francoforte. Da segnalare, infine, l’ottima performance di ams che guadagna in giornata il 4,36%.

Per quanto riguarda i prodotti, STMicroelectronics ha annunciato il completamento, la convalida e la disponibilità di una nuova versione del pacchetto software di espansione X-CUBE-IOTA1, incluso la libreria IOTA C, per l’ecosistema di sviluppo software del microcontrollore STM32Cube.

Immagine: STMicroelectronics

STM32Cube integra software di basso livello e middleware in un’unica libreria insieme a uno strumento di configurazione per generare codice di inizializzazione per applicazioni embedded in esecuzione su qualsiasi MCU della famiglia di microcontrollori STM32. Con più di 100 pacchetti di espansione, incluso l’X-CUBE-IOTA1 aggiornato, STM32Cube è una risorsa di sviluppo dinamica, in grado di accogliere componenti software aggiuntivi per consentire specifiche applicazioni.

Il pacchetto di espansione, che include middleware specifico IOTA e implementazioni di esempio, consente agli sviluppatori di beneficiare delle prestazioni ad alta efficienza e delle funzionalità degli MCU STM32 per creare dispositivi intelligenti e connessi sfruttando gli ultimi aggiornamenti del protocollo Chrysalis a IOTA DLT.

IOTA DLT – chiamato anche Tangle – è un database sicuro e decentralizzato che protegge dalla manomissione dei dati. Secondo la Fondazione IOTA, il nuovo aggiornamento del protocollo Chrysalis è il 60% più efficiente rispetto all’implementazione originale IOTA. Per ottenere questi vantaggi, la Fondazione ha aggiornato il suo protocollo per utilizzare le cosiddette atomic transactions che registrano i cambiamenti di stato in modo più efficiente rispetto ai account-based models che richiedono aggiornamenti dell’intero account balance. Queste transazioni possono essere piccole, fino a 275 byte/transazione, invece dei 3500 byte/transazione originali. Un miglioramento all’algoritmo consente inoltre una convalida e una sincronizzazione più rapide delle transazioni. La IOTA Foundation afferma che i suoi sistemi possono eseguire 600 milioni di transazioni utilizzando la stessa energia spesa per la transazione di un Bitcoin.

La versione aggiornata del software X-CUBE-IOTA1 funziona sul kit B-L4S5I-IOT01A Discovery per nodo IoT, che dispone di un MCU STM32L4+ e si connette a Internet tramite l’interfaccia Wi-Fi integrata.

 

Da parte sua, Infineon Technologies amplia il suo portafoglio di circuiti integrati gate-driver a canale singolo. La nuova famiglia EiceDRIVER 1EDB di circuiti integrati gate-driver a singolo canale fornisce un isolamento galvanico ingresso-uscita di 3 kVrms (UL 1577) che garantisce una robusta separazione del circuito di terra. La loro immunità ai transitori di modo comune (CMTI) supera i 300 V/ns, rendendo questi dispositivi la scelta perfetta per le applicazioni di commutazione hardware in numerose topologie.

Immagine: Infineon Technologies

La nuova famiglia 1EDB comprende quattro elementi (1EDB6275F, 1EDB7275F, 1EDB8275F e 1EDB9275F) ed è ottimizzata per applicazioni high/low-side. È in grado di risolvere problemi di layout PCB, comuni in applicazioni ad alta potenza come gli alimentatori a commutazione (SMPS) per server e impianti di telecomunicazioni e i gruppi di continuità (UPS).  A causa della loro necessità di maggiore densità di potenza, i circuiti di ricarica di veicoli elettrici richiedono spesso MOSFET di potenza a commutazione rapida. Gli inverter per applicazioni fotovoltaiche sfruttano i MOSFET in carburo di silicio poiché consentono sia perdite di commutazione inferiori sia un significativo passo avanti nella densità di potenza. La nuova famiglia 1EDB si rivolge a tutte queste applicazioni, garantendo un’elevata efficienza di sistema e un funzionamento robusto e sicuro.

Tutti i prodotti sono dotati di bassissima resistenza ohmica per uscite source (0,95 Ohm) e sink (0,48 Ohm) che facilita la progettazione, offrendo una capacità di 5,4 Apicco nella modalità source e 9,8 Apicco nella modalità sink. Queste prestazioni sono di fondamentale importanza per ridurre le perdite di commutazione dei MOSFET di potenza. L’accuratezza del ritardo di propagazione da ingresso a uscita è di ± 4 ns, contribuendo a ridurre le perdite di commutazione, essenziale nelle applicazioni a commutazione rapida. La tipica velocità di clamping dello stadio finale è di soli 20 ns, a supporto del funzionamento sicuro del sistema, soprattutto durante l’avviamento.

I progettisti possono scegliere tra quattro diverse opzioni di blocco della sottotensione in uscita (UVLO):

  • 0 V per MOSFET a livello logico (1EDB7275F)
  • 0 V per MOSFET di livello normale (1EDB8275F)
  • 12 V per CoolSiC MOSFET 650 V (schema di pilotaggio 15 V, 1EDB6275F)
  • 14 V per MOSFET CoolSiC 650 V (schema di pilotaggio ≥18 V, 1EDB9275F)

Gli EiceDRIVER 1EDB7275F e 1EDB8275F sono disponibili in pacchetti DSO a 8 pin da 150 mil e possono essere ordinati da subito. Le varianti 1EDB6275F e 1EDB9275F seguiranno a breve. Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.