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News semiconduttori e mercati del 18 marzo 2021

AMERICA & GLOBAL

Sono bastate 24 ore – giovedì 18 marzo – per fare dimenticare a Wall Street le parole del presidente della Fed Jerome Powell e a spostare l’attenzione degli investitori sui rendimenti dei titoli di Stato che anche oggi hanno continuato la loro corsa verso l’alto. Il bond del Tesoro a 10 anni, il titolo di riferimento del settore, ha raggiunto un rendimento dell’1,7%, provocando un’ondata di vendite sui titoli tecnologici, esattamente come 2 settimane fa. E dopo la diffusione dei dati sulle nuove richieste di disoccupazioni, peggiori del previsto, il ribasso ha coinvolto anche il Dow Jones e l’S&P 500. A completare il quadro ci si è messo pure il petrolio la cui quotazione è crollata del 7%.

Alla conclusione delle contrattazioni, il Nasdaq Composite è arretrato del 3,02% a quota 13.116 punti, il Dow Jones ha perso lo 0,46% a quota 32.862 punti e l’S&P 500 ha lasciato sul terreno l’1,48% a quota 3.915 punti.

Pesanti le conseguenze sui principali titoli del comparto tecnologico: Tesla perde il 6,93% a quota 653,16 dollari, Apple arretra del 3,39% a quota 120,563 dollari e Twitter perde il 4,98%.

Va un po’ meglio per Alphabet (-2,92%), Microsoft (-2,67%) e Facebook (-1,90%).

In forte calo anche l’indice dell’industria dei semiconduttori, il PHLX Semiconductor (SOX) che perde il 4,24% a quota 2.976 punti.

Tra i titoli più importanti, perdono molto ON Semiconductor (-6,43%), AMD (-5,46%), Microchip Technology (-5,42%), Micron (-5,21%), Marvell Technology (-5,30%) e Xilinx (-5,37%).

Limitano i danni, Lam Research (-2,50%), Texas Instruments (-2,78%), Analog Devices (-3,06%), QUALCOMM Incorporated (-3,11%) e Intel (-3,12%).

 

ASIA

Dopo le buone notizie arrivate da Wall Street mercoledì sera, chiudono tutte in rialzo le borse asiatiche con il Nikkei che riconquista quota 30.000 punti.

In Cina guadagnano sia lo Shanghai Composite (+0,51%) che l’indice Shenzhen Composite (+0,87%); più consistente il progresso dell’Hang Seng di Hong Kong che guadagna l’1,28% a quota 29.405 punti.

Da segnalare l’avanzata delle web company Alibaba (+4,94%) e Tencent (+2,56%).

In Corea l’indice KOSPI guadagna lo 0,61% con tutti i big dei semiconduttori in terreno positivo.

Più modesto il guadagno del Taiex (+0,44%) di Taiwan con le società tecnologiche e dei semiconduttori che chiudono attorno alla parità.

Piuttosto consistente il progresso del Nikkei 225 (+1,01%) giapponese che chiude a 30.216 punti, riconquistando quota 30 mila dopo quasi un mese. Consistenti anche i guadagni dei principali titoli dei semiconduttori con Renesas che avanza del 4,54%, Tokyo Electron che sale del 2,73% e Rohm che guadagna il 3,43%.

 

EUROPA  

Appena sopra la parità tutte le borse europee dopo le indicazioni del presidente della Fed Powell è il giudizio positivo dell’EMA sul vaccino di AstraZeneca; frenano i tecnologici per il timore di una ripresa dei rendimenti dei titoli di Stato americani ed europei.

A Milano l’FTSE MIB guadagna lo 0,33% a quota 24.360 punti.

Quasi tutti in calo i titoli dei semiconduttori: STMicroelectronics perde lo 0,52% a quota 30,40 euro, Infineon Technologies arretra dello 0,89% a quota 33,94 euro e ASML perde lo 0,022%.

In controtendenza ams che guadagna l’1,13% mentre in serata alla borsa di New York NXP Semiconductors perde il 4,68% a quota 198,59 dollari.

 

Per quanto riguarda i prodotti, STMicroelectronics annuncia il gate driver STGAP2SiCS l’ultimo nato della famiglia STGAP, ottimizzato per il controllo sicuro di MOSFET in carburo di silicio (SiC) funzionanti con tensioni fino a 1200V.

Immagine: STMicroelectronics

In grado di produrre una tensione di pilotaggio di gate fino a 26 V, l’STGAP2SiCS ha una soglia UVLO (Under-Voltage Lockout) rialzata di 15,5 V per soddisfare i requisiti di accensione dei MOSFET SiC. Se la tensione di pilotaggio è troppo bassa, a causa di una tensione di alimentazione troppo bassa, la sezione UVLO assicura che il MOSFET rimanga spento per evitare un’eccessiva dissipazione. Il driver dispone di doppi pin di ingresso che consentono ai progettisti di determinare la polarità del segnale gate-drive.

Con 6kV di isolamento galvanico tra la sezione di ingresso e l’uscita di pilotaggio, l’STGAP2SiCS aiuta a garantire la sicurezza nelle applicazioni consumer e industriali. La sua capacità di uscita sink/source da 4 A è adatta a convertitori, alimentatori e inverter di media e alta potenza in apparecchiature quali elettrodomestici di fascia alta, unità industriali, ventole, riscaldatori a induzione, saldatrici e UPS.

Sono disponibili due diverse configurazioni di uscita. La prima dispone di pin di uscita separati che consente l’ottimizzazione indipendente dei tempi di accensione e spegnimento utilizzando un resistore di gate dedicato. La seconda è prevista per la commutazione hard ad alta frequenza, con un singolo pin di uscita e un morsetto Miller attivo che limita l’oscillazione della tensione gate-source del MOSFET SiC per prevenire accensioni indesiderate e migliorare l’affidabilità. Il circuito di ingresso è compatibile con la logica CMOS / TTL fino a 3,3 V, per un facile interfacciamento con un’ampia varietà di circuiti integrati di controllo.

Alloggiato in un contenitore SO-8W wide-body che garantisce un ingombro ridotto, STGAP2SiCS è già disponibile al prezzo unitario di USD 2,00 per ordini minimi di 1.000 pezzi. Ulteriori informazioni sono disponibili qui.