martedì, Giugno 25, 2024
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Infineon presenta i MOSFET CoolSiC da 400V che ridefiniscono la densità di potenza e l’efficienza negli alimentatori per server AI

Infineon MOSFET CoolSiC da 400V

Il nuovo portafoglio MOSFET è stato sviluppato appositamente per l’uso nella fase AC/DC dei server AI, sempre più affamati di energia.

Con il crescente fabbisogno energetico dei processori di intelligenza artificiale (AI), gli alimentatori per server (PSU) devono fornire sempre più potenza con la massima efficienza energetica senza superare le dimensioni definite dei rack dei server. Ciò è dovuto all’aumento della domanda energetica delle GPU di alto livello, che attualmente raggiunge i 1.000 W per chip e che potrebbe raggiungere i 2.000 W entro la fine del decennio.

Queste esigenze, così come l’emergere di applicazioni sempre più esigenti con le relative richieste da parte dei clienti, hanno spinto Infineon Technologies ad estendere lo sviluppo di MOSFET SiC a tensioni inferiori a 650 V. L’azienda sta ora lanciando la nuova famiglia CoolSiC MOSFET 400 V, basata su tecnologia CoolSiC di seconda generazione (G2) introdotta all’inizio di quest’anno.

Il nuovo portafoglio MOSFET è stato sviluppato appositamente per l’uso nella fase AC/DC dei server AI, integrando la roadmap PSU recentemente annunciata da Infineon. I dispositivi sono ideali anche per sistemi solari e di accumulo dell’energia (ESS), controllo di motori con inverter, alimentatori industriali e ausiliari (SMPS) nonché interruttori automatici a stato solido per edifici residenziali.



I commenti

“Infineon offre un ampio portafoglio di MOSFET e transistor GaN ad alte prestazioni per soddisfare gli esigenti requisiti di design e spazio degli alimentatori per server AI“, ha affermato Richard Kuncic, responsabile della linea di business Power Systems di Infineon. “Ci impegniamo a supportare i nostri clienti con prodotti avanzati come i MOSFET CoolSiC da 400 V G2 per garantire la massima efficienza energetica nelle applicazioni IA avanzate”.

MOSFET SiC e transistor CoolGaN, una combinazione vincente

La nuova famiglia presenta perdite di conduzione e commutazione estremamente basse rispetto ai MOSFET SiC e Si da 650 V esistenti. Implementato in un PFC multilivello, lo stadio AC/DC dell’alimentatore AI Server può raggiungere una densità di potenza superiore a 100 W/in³ e ha dimostrato di raggiungere un’efficienza del 99,5%.
Si tratta di un miglioramento dell’efficienza di 0,3 punti percentuali rispetto alle soluzioni che utilizzano MOSFET SiC da 650 V. Inoltre, la soluzione di sistema per gli alimentatori AI Server è completata dall’implementazione dei transistor CoolGaN nello stadio DC/DC. Con questa combinazione di MOSFET e transistor ad alte prestazioni, l’alimentatore può fornire più di 8 kW con un aumento della densità di potenza di un fattore superiore a 3 rispetto alle soluzioni attuali.

Caratteristiche tecniche

Il nuovo portafoglio MOSFET comprende un totale di 10 prodotti: cinque classi RDS(ON) da 11 a 45 mΩ in contenitori TOLL con sorgente Kelvin e D²PAK-7 con tecnologia di interconnessione dei pacchetti .XT. La tensione di rottura drain-source di 400 V a Tvj = 25°C li rende ideali per l’uso in convertitori a 2 e 3 livelli e per il raddrizzamento sincrono. I componenti offrono un’elevata robustezza in condizioni di commutazione difficili e sono testati al 100% contro l’effetto valanga.
La robustissima tecnologia CoolSiC in combinazione con la tecnologia di interconnessione .XT consente ai dispositivi di far fronte a picchi di potenza e transitori causati da improvvisi cambiamenti nei requisiti di potenza del processore AI. Sia la tecnologia di connessione che un coefficiente di temperatura RDS(ON) basso e positivo consentono prestazioni eccellenti in condizioni operative con temperature di giunzione più elevate.

Disponibilità

I campioni tecnici del portafoglio CoolSiC MOSFET 400 V sono ora disponibili e verranno prodotti in serie a partire da ottobre 2024. L’ultima generazione di MOSFET CoolSiC di Infineon sarà presentata presso lo stand Infineon durante l’esibizione PCIM Europe 2024 (padiglione 7, stand n. 470 e n. 169) dall’11 al 13 giugno 2024. Maggiori informazioni sono disponibili al seguente link.

Ulteriori informazioni sulle soluzioni SiC, GaN e Si di Infineon per l’alimentazione degli alimentatori AI sono disponibili all’indirizzo www.infineon.com/AI-PSU.