giovedì, Luglio 23, 2026
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ZF presenta un innovativo motore elettrico senza magneti che non richiede l’impiego di terre rare

  A differenza dei motori senza magneti sincroni ad eccitazione separata (SESM) già disponibili oggi, il motore sincrono ad eccitazione induttiva di ZF trasmette l'energia...

Il nuovo relè Omron estende le capacità di corrente per la ricarica EV e per applicazioni UPS

Omron Electronic Components Europe ha ampliato il proprio portafoglio di relè ad alta potenza G7EB con una nuova versione da 120A rivolta alle applicazioni...

Nuovo accordo tra Intel Foundry Services e Tower Semiconductor

L'avanzato impianto di produzione da 300 mm di Intel nel Nuovo Messico fornirà un nuovo corridoio di capacità per Tower, contribuendo ad alimentare...

Il processore utilizzato nel nuovo smartphone di punta di Huawei è stato prodotto dalla cinese SMIC con nodo di processo a 7 nm

Nonostante le sanzioni occidentali, l’industria cinese è riuscita a produrre un processore a 7 nm di appena due generazioni in ritardo rispetto ai prodotti...

Cadence porta l’intelligenza pervasiva ai massimi livelli con la piattaforma di elaborazione Tensilica di nuova generazione

L'ottava generazione della piattaforma Tensilica Xtensa LX offre significativi miglioramenti delle prestazioni a livello di sistema, offrendo al tempo stesso un'efficienza energetica ottimale.  Cadence Design...

Avnet Abacus si aggiudica due riconoscimenti assegnati da Molex per le attività di distribuzione 2022

Le prestazioni eccezionali e l'impegno per la generazione di domanda ottengono i massimi riconoscimenti da Molex. Avnet Abacus, uno dei distributori leader in Europa di...

IGBT ancora più robusti ed efficienti con la nuova serie 1350V di STMicroelectronics

I dispositivi STPOWER IH2 sono destinati ad applicazioni industriali e per sistemi di riscaldamento a induzione. STMicroelectronics ha rilasciato una nuova classe di IGBT con una...

Intel aumenta in maniera significativa gli ordini di propri chip alla foundry taiwanese TSMC

La separazione sempre più netta tra il comparto di progettazione e quello produttivo di Intel, voluta dal CEO Pat Gelsinger, sta provocando effetti inaspettati,...

Il MOSFET di potenza serie 650 VE di Vishay Intertechnology offre il fattore di merito più basso del settore

Il dispositivo di quarta generazione consente livelli di potenza e densità elevati, riducendo al contempo le perdite di conduzione e commutazione per aumentare l'efficienza. Vishay...

I microcontrollori wireless LoRaWAN di STMicroelectronics per i contatori intelligenti di Sindcon

STMicroelectronics ha annunciato oggi la sua collaborazione con Sindcon (Singapore) IoT Technology Pte Ltd, un fornitore di contatori intelligenti con sede a Singapore. L’accordo...

Bosch avvia la produzione in volumi di inverter SiC con tecnologia da 800V

Prodotti e soluzioni Bosch per la mobilità elettrica saranno in mostra presso l’IAA Mobility 2023 che si apre domani a Monaco di Baviera. Bosch annuncia...

Toshiba introduce MOSFET al carburo di silicio (SiC) di terza generazione con perdite di commutazione ridotte

I nuovi MOSFET in ​​package a 4 pin offrono prestazioni di commutazione migliorate dal 34 al 40 percento nelle applicazioni industriali rispetto agli attuali...

Intel rinuncia all’acquisizione di Tower Semiconductor: quali le ripercussioni sull’accordo tra Tower e STMicroelectronics?

STMicroelectronics ha un accordo con la foundry israeliana Tower Semiconductor per l’avviamento congiunto del primo impianto da 300 mm italiano, quello che ST sta...

Samsung presenta la DRAM DDR5 da 32 Gb classe 12 nm con la capacità più elevata del settore, ideale per l’era dell’AI

Fornisce il doppio della capacità dei moduli da 16 Gb con le stesse dimensioni del package, consentendo la produzione di moduli DRAM da 128...

I nuovi circuiti integrati per stadi di potenza EcoGaN di ROHM contribuiscono alla riduzione di dimensioni e perdite

Volume dei componenti ridotto del 99% e perdita di potenza ridotta del 55% con la sostituzione dei tradizionali MOSFET in silicio.  ROHM ha sviluppato circuiti...

Dopo la partnership con onsemi, BorgWarner stringe un accordo con STMicroelectronics per le forniture di carburo di silicio

STMicroelectronics fornirà dispositivi in carburo di silicio per i moduli di potenza Viper di BorgWarner che equipaggeranno i veicoli elettrici di prossima generazione di...

Il National Cyber Security Center del Regno Unito conferma la validità della soluzione di sicurezza degli FPGA PolarFire di Microchip

Il Single-Chip Crypto Design Flow degli FPGA PolarFire di Microchip Technology "Riesaminato con successo" dall’agenzia di sicurezza britannica a conferma delle prestazioni leader del...

Toshiba introduce il primo modulo dual MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 2.200 V per il settore industriale

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation presenta il dispositivo MG250YD2YMS3, il primo modulo dual MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 2.200 V per impieghi...

RFAB2 di Texas Instruments è la prima fabbrica di semiconduttori negli Stati Uniti a conseguire il LEED Gold versione 4

Il riconoscimento sottolinea l'impegno a lungo termine dell'azienda per una produzione responsabile e sostenibile. Texas Instruments ha annunciato oggi che il suo nuovo stabilimento...

Fallita in Russia l’unica azienda che produceva CPU: all’asta gli asset di Baikal Electronics

La Russia dice addio ai processori domestici Baikal non più competitivi e impossibili da costruire dopo le sanzioni occidentali a cui ha aderito...