mercoledì, Maggio 29, 2024
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Al via la costruzione del nuovo fab da 300 mm di Texas Instruments a Lehi, nello Utah

Texas Instruments LFAB2 300mm Utah
Il presidente e CEO di Texas Instruments Haviv Ilan e il governatore dello Utah Spencer Cox (al centro) si uniscono ai leader dell’azienda e della comunità locale per inaugurare il secondo fab da 300 mm di TI a Lehi, Utah.

Texas Instruments ha annunciato anche il proprio sostegno alle attività scolastiche per la formazione di nuovi talenti in ambito tecnologico.

Texas Instruments ha festeggiato oggi l’avvio della costruzione del nuovo impianto LFAB2 per la fabbricazione di semiconduttori con wafer da 300mm a Lehi, Utah. Insieme al governatore dello Utah Spencer Cox, a funzionari statali e federali, nonché ai leader della comunità locale, il presidente e amministratore delegato di TI Haviv Ilan ha celebrato i primi passi verso la costruzione del nuovo stabilimento, LFAB2, che si collegherà all’attuale impianto da 300 mm già operativo a Lehi. Una volta completati, i due stabilimenti di TI dello  Utah produrranno ogni giorno decine di milioni di circuiti integrati, processori analogici ed embedded.

I commenti dei leader

Oggi compiamo un passo importante nel percorso volto a espandere la nostra presenza produttiva nello Utah. Questo nuovo stabilimento fa parte del nostro piano di produzione a lungo termine da 300 mm per costruire la capacità di cui i nostri clienti avranno bisogno per i decenni a venire”, ha affermato Ilan. “In Texas Instruments, la nostra passione è creare un mondo migliore rendendo l’elettronica più accessibile attraverso i semiconduttori. Siamo orgogliosi di contribuire alla crescita della comunità dello Utah e di produrre semiconduttori di elaborazione analogici e circuiti integrati che sono vitali per qualsiasi tipo di moderno sistema elettronico.”

A febbraio, TI ha annunciato un investimento di 11 miliardi di dollari nello Utah, il più grande investimento nella storia dello stato. LFAB2 creerà circa 800 posti di lavoro aggiuntivi in ​​TI e migliaia di posti di lavoro indiretti, con i primi prodotti che usciranno nello stabilimento già nel 2026.

“La crescente presenza manifatturiera di TI nello Utah sarà importante per la trasformazione del nostro Stato, creando centinaia di posti di lavoro ben retribuiti per gli abitanti dello Utah che contribuiranno alla produzione di tecnologia di fondamentale importanza“, ha affermato il governatore dello Utah Spencer Cox. “Siamo orgogliosi che i semiconduttori, realizzati nello Utah dai nostri cittadini alimenteranno l’innovazione, fondamentale per la sicurezza economica e nazionale del nostro Paese“.

Rendering Texas Instruments LFAB2 300mm Utah
Rendering di LFAB2, il secondo fab da 300 mm che Texas Instruments sta realizzando a Lehi, nello Utah.

Costruire comunità più forti

Nell’ambito dell’impegno di TI a favore dell’istruzione, l’azienda investirà 9 milioni di dollari nel locale distretto scolastico per sviluppare la prima comunità di apprendimento STEM, per tutti gli studenti, dalla scuola materna fino alle superiori. Il programma pluriennale approfondirà lo studio delle materie STEM nei corsi per gli 85.000 studenti del distretto e fornirà uno sviluppo professionale orientato alle materie STEM per i suoi insegnanti e amministratori. Il programma a livello distrettuale fornirà agli studenti competenze STEM essenziali, come il pensiero critico, la collaborazione e la risoluzione creativa dei problemi per avere successo dopo la laurea.

Siamo entusiasti dell’aiuto che questa iniziativa darà ai nostri studenti per sviluppare conoscenze e competenze essenziali, preparandoli al successo nella vita e a possibili carriere nel settore tecnologico“, ha affermato il sovrintendente del distretto scolastico locale dottor Shane Farnsworth. “Lavorando insieme alla città di Lehi, a Texas Instruments e alle nostre scuole, questo investimento avrà un impatto sugli studenti e sulle loro famiglie per molte generazioni a venire.

Costruire in modo sostenibile

Texas Instruments è impegnata da molto tempo verso una produzione responsabile e sostenibile. LFAB2 sarà uno dei fab più efficienti dal punto di vista ambientale dell’azienda, progettato per soddisfare uno dei più alti livelli di efficienza strutturale e sostenibilità del sistema di classificazione degli edifici LEED (Leadership in Energy and Environmental Design): LEED Gold versione 4.

L’LFAB2 ha anche l’obiettivo di essere alimentato al 100% da elettricità rinnovabile e le apparecchiature e i processi avanzati da 300 mm a Lehi ridurranno ulteriormente il consumo di rifiuti, acqua ed energia. Nello stabilimento LFAB2 l’acqua verrà riciclata ad una velocità quasi doppia rispetto a quella del primo stabilimento TI di Lehi.

Costruire la prossima era della produzione di semiconduttori

LFAB2 completerà le esistenti fabbriche di wafer da 300 mm di TI, che includono LFAB1 (Lehi, Utah), DMOS6 (Dallas) e RFAB1 e RFAB2 (entrambi a Richardson, Texas). TI sta inoltre costruendo quattro nuove fabbriche di wafer da 300 mm a Sherman, in Texas (SM1, SM2, SM3 e SM4), con la produzione dalla prima fabbrica prevista per il 2025.

Le espansioni produttive di TI, con il sostegno del CHIPS and Science Act, garantiranno una fornitura affidabile di prodotti di elaborazione analogici ed embedded. Questi investimenti nella manifattura e nella tecnologia dimostrano l’impegno dell’azienda nella pianificazione della capacità a lungo termine indispensabile per sostenere crescita della domanda di semiconduttori a livello globale nei prossimi anni.