I moduli di potenza BZPACK mSiC sfruttano l’avanzata tecnologia mSiC di Microchip, integrando le prestazioni delle sue famiglie di MOSFET SiC MB e MC.
Microchip Technology annuncia oggi i suoi moduli di potenza BZPACK mSiC, progettati per soddisfare i rigorosi standard HV-H3TRB (High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias). I moduli BZPACK offrono un’affidabilità eccezionale, semplificano la produzione e propongono versatili opzioni di integrazione di sistema per gli ambienti di conversione di potenza più esigenti. Disponibili in un’ampia gamma di topologie, tra cui configurazioni half-bridge, full-bridge, trifase e PIM/CIB, offrono ai progettisti la flessibilità necessaria per ottimizzare prestazioni, costi e architettura di sistema.
Testati per soddisfare gli standard HV-H3TRB, che superano il limite delle mille ore, i moduli di potenza BZPACK mSiC offrono affidabilità per le implementazioni in applicazioni industriali e nel settore delle energie rinnovabili. Con un indice di tracciamento comparativo (CTI) di 600 V, una resistenza RDS(ON) stabile in un ampio intervallo di temperature e opzioni di substrato in ossido di alluminio (Al₂O₃) o nitruro di alluminio (AlN), i moduli offrono isolamento, gestione termica e durata superiori.
I commenti
“Il lancio dei nostri moduli di potenza BZPACK mSiC rafforza l’impegno di Microchip nel fornire soluzioni robuste e ad alte prestazioni per gli ambienti di conversione di potenza più esigenti“, ha dichiarato Clayton Pillion, vicepresidente della business unit soluzioni ad alta potenza di Microchip. “Sfruttando la nostra tecnologia mSiC avanzata, offriamo ai clienti un percorso più semplice per la realizzazione di sistemi efficienti e durevoli nei mercati industriali e della sostenibilità.”
Per ottimizzare la produzione e ridurre la complessità del sistema, i moduli BZPACK presentano un design compatto senza piastra di base, con terminali a pressione senza saldature e, opzionalmente, materiale di interfaccia termica (TIM) preapplicato. Queste versatili opzioni consentono un assemblaggio più rapido, una maggiore uniformità di produzione e una più facile reperibilità da diversi fornitori grazie ai footprint standard del settore. Inoltre, i moduli sono progettati per essere compatibili a livello di pin per una maggiore facilità d’uso.
Le famiglie MB e MC di MOSFET mSiC di Microchip offrono soluzioni robuste per applicazioni industriali e automotive, con opzioni qualificate AEC-Q101. Questi dispositivi supportano tensioni gate-source (VGS) ≥ 15V e sono offerti in package standard di settore per una facile integrazione. La comprovata capacità HV-H3TRB garantisce un’affidabilità a lungo termine, contribuendo a ridurre il rischio di guasti sul campo dovuti a perdite o rotture indotte dall’umidità. La famiglia MC integra una resistenza di gate che offre un controllo di commutazione migliorato, mantenendo una bassa energia di commutazione e una maggiore stabilità nelle configurazioni di moduli multi-die. Le opzioni attuali sono disponibili in formato TO-247-4 Notch e die (waffle pack). Microchip offre un portafoglio ampio e flessibile di diodi, MOSFET e driver di gate in SiC. Ulteriori informazioni sono disponibile al seguente link: www.microchip.com/sic.
I moduli di potenza mSiC BZPACK sono attualmente disponibili in quantità di produzione.
