GlobalFoundries ha annunciato ieri di aver stipulato un accordo di licenza tecnologica con TSMC relativo alle tecnologie in carburo di gallio (GaN) a 650 V e 80 V. La motivazione ufficiale: accelerare lo sviluppo della prossima generazione di chip GaN destinati alle applicazioni nei data-center, nel settore industriale e automobilistico, e rafforzare la capacità produttiva statunitense di GaN per una clientela globale.
Nel comunicato, GlobalFoundries sottolinea che le tecnologie CMOS in silicio stanno progressivamente avvicinandosi ai limiti delle prestazioni, e che il GaN si impone come tecnologia abilitante grazie a efficienza superiore, maggiore densità di potenza e compattezza nei sistemi di alimentazione. Il focus è dunque su piattaforme a 650 V – tipicamente indirizzate a infrastrutture, veicoli elettrici (EV) e convertitori ad alta tensione – e su 80 V, un range più “leggero” ma cruciale per dispositivi di potenza emergenti, ricarica rapida e industriale.
Tempi e siti produttivi
GF ha indicato che la tecnologia licenziata sarà qualificata nella sua fabbrica di Burlington, Vermont, sfruttando la competenza esistente nel GaN-on-Silicon ad alta tensione. Lo sviluppo è previsto per i primi mesi del 2026 e la produzione per la fine dello stesso anno.
Gli analisti segnalano che l’obiettivo di prodotti disponibili entro la fine del 2026 è ambizioso e dipenderà strettamente dall’esito della qualifica e dalla velocità di ramp-up della produzione.
“Questo accordo rafforza l’impegno di GF per l’innovazione e la sua attenzione strategica su tecnologie differenziate che si rivolgono ai dispositivi di alimentazione essenziali che utilizziamo per vivere, lavorare e connetterci“, ha affermato Téa Williams, vicepresidente senior del settore energia di GlobalFoundries. “Con l’aggiunta di questa comprovata tecnologia GaN, accelereremo lo sviluppo dei nostri chip GaN di prossima generazione e forniremo soluzioni differenziate che colmano le lacune di potenza critiche per applicazioni mission-critical, dai data center alle automobili, fino agli stabilimenti produttivi”.
Un accordo che racconta anche altro
Secondo TrendForce, l’accordo è “segno del ritiro del leader delle foundry” (TSMC) dal segmento di tecnologia GaN a più basso margine. In altre parole, TSMC – che storicamente domina le tecnologie logic avanzate – sembra voler riallocare risorse verso nodi sempre più sofisticati, mentre cede la licenza di segmenti GaN – che, pur emergenti e strategici, rappresentano ancora una nicchia rispetto ai grandi volumi del logic mainstream.
Questo spostamento può indicare un riposizionamento strategico da parte di TSMC verso le tecnologie logiche ultra-avanzate; TSMC prevede di riconvertire la sua Fab 5 di Hsinchu, attualmente utilizzata come fonderia GaN, per il packaging avanzato a partire dal 1° luglio 2027.
Prima di questo annuncio, TSMC aveva già iniziato a esternalizzare gradualmente alcuni ordini da 40 a 90 nm alla sua affiliata, Vanguard International Semiconductor (VIS).
Oltre ai piani di chiusura del suo stabilimento di Hsinchu da 6 pollici e di uscita dall’attività di fonderia di GaN entro i prossimi due anni, TSMC ha anche venduto parte delle sue attrezzature a VSMC, una joint venture con sede a Singapore tra VIS e NXP.
Nel complesso, queste iniziative sottolineano la chiara intenzione di TSMC di riallocare le risorse verso aree di business più avanzate e con margini più elevati.
Implicazioni per il mercato dei semiconduttori di potenza
L’accordo rafforza la posizione di GF nel mercato dei dispositivi di potenza: poter offrire anche questa tecnologia ai clienti globali è un vantaggio competitivo in un contesto in cui l’on-shoring e la sicurezza delle supply chain diventano fattori critici.
Per il mercato GaN nel suo complesso, sebbene le proiezioni siano positive, le sfide restano numerose, ad esempio l’industrializzazione dei wafer da 12 pollici, la maturità degli strumenti MOCVD e la scalabilità dei processi GaN-on-Silicon.
Dal punto di vista degli utenti finali (automotive, data-center, rinnovabili) questa mossa può tradursi in accesso più rapido a soluzioni GaN “first-tier” made in USA, potenzialmente con migliori garanzie di affidabilità e sicurezza.
