I nuovi chip di potenza GaN integrano un gate driver ad alte prestazioni con funzionalità di protezione avanzate in un package TOLL standard mentre l’eFuse semplifica la progettazione dei data center e permette ai progettisti di raggiungere livelli di potenza superiori a 6 kW.
Texas Instruments ha presentato oggi i nuovi chip di gestione dell’alimentazione a sostegno della rapida crescita delle esigenze di alimentazione nei moderni data center. Con la sempre maggiore adozione dell’high performance computing e dell’intelligenza artificiale, i data center richiedono soluzioni più efficienti e ad alta densità di potenza.
Il nuovo TPS1685 di TI è il primo eFuse hot-swap integrato da 48 V del settore a offrire la protezione del percorso di alimentazione a sostegno delle esigenze di elaborazione dei data center. Per agevolare la progettazione, inoltre, TI ha presentato una nuova gamma di stadi di potenza integrati in tecnologia GaN composta da LMG3650R035, LMG3650R025 ed LMG3650R070, in package TOLL standard del settore. TI esporrà i nuovi dispositivi in occasione dell’evento APEC 2025 in programma dal 16 al 20 marzo ad Atlanta, in Georgia (USA).
“I data center richiedono sempre più energia e pertanto il punto di partenza dell’alimentazione dell’infrastruttura digitale mondiale sono i semiconduttori più intelligenti ed efficienti”, ha affermato Robert Taylor, direttore generale di Industrial Power Design Services. “Mentre i chip avanzati sostengono la potenza di calcolo per l’AI, sono i semiconduttori analogici a svolgere un ruolo fondamentale nel massimizzare l’efficienza energetica. Le nostre più recenti innovazioni nella gestione dell’alimentazione consentono ai data center di ridurre il loro impatto ambientale, supportando al tempo stesso le crescenti esigenze del nostro mondo digitale”.
Livelli di potenza superiori a 6 kW con protezione intelligente del sistema
Con l’aumento della domanda di energia, i progettisti di data center si stanno orientando verso architetture di alimentazione a 48 V per una maggiore efficienza e scalabilità, in modo da supportare componenti quali CPU, unità di elaborazione grafica e acceleratori hardware di AI. L’eFuse hot-swap integrato sovrapponibile da 48 V di TI, dotato di protezione del percorso di alimentazione, permette ai progettisti di soddisfare le esigenze di elaborazione ad alta potenza (>6 kW) con un dispositivo scalabile che semplifica la progettazione e dimezza le dimensioni della soluzione rispetto ai controller hot-swap già presenti sul mercato.
Ulteriori informazioni sulla progettazione con il nuovo TPS1685 sono disponibili nell’articolo tecnico “Alimentazione dei moderni data center IA con un dispositivo eFuse hot-swap da 48 V integrato”.
Maggiore efficienza con il GaN di TI in package TOLL standard
TI ha introdotto anche una nuova gamma di stadi di potenza integrati che sfruttano la tecnologia GaN. LMG3650R035, LMG3650R025 e LMG3650R070 offrono i vantaggi della tecnologia GaN di TI in un package TOLL standard del settore, il che permette ai progettisti di sfruttare l’efficienza dei dispositivi GaN di TI senza riprogettazioni lunghe e costose.
I nuovi stadi di potenza integrano un gate driver ad alte prestazioni con un transistor a FET GaN da 650 V, ottenendo al tempo stesso un’elevata efficienza (>98%) e un’elevata densità di potenza (>100 W/in3). Questi dispositivi, inoltre, integrano funzioni di protezione avanzate, come la protezione da sovracorrente, cortocircuito e sovratemperatura. Tali caratteristiche sono particolarmente importanti nelle applicazioni AC/DC, ad esempio per l’alimentazione dei server, dove i progettisti si trovano a dover concentrare maggiore potenza in spazi più ristretti.
Ulteriori informazioni sugli stadi di potenza al nitruro di gallio di TI in package standard sono disponibili nell’articolo tecnico “Sviluppo di alimentatori standard del settore con dispositivi GaN integrati in package TOLL”.
Le novità di Texas Instruments ad APEC 2025
In occasione di APEC 2025, TI presenterà soluzioni di alimentazione grazie alle quali i progettisti possono introdurre nuovi livelli di densità di potenza ed efficienza, tra cui:
- Alimentatore (PSU) per server Dell da 1,8 kW con stadi di potenza GaN: il primo progetto di PSU a 12 V ad alta efficienza di Dell utilizza uno stadio di potenza GaN integrato di TI. L’alimentatore è dotato di un FET GaN con driver integrato, protezione e segnalazione della temperatura, riuscendo a raggiungere un’efficienza a livello di sistema superiore al 96%.
- PSU per server da 5,5 kW di Vertiv: parte del sistema di alimentazione DC PowerDirect Rack di Vertiv, il più recente alimentatore di Vertiv si basa sulla tecnologia GaN di TI per erogare fino a 132 kW per rack.
- PSU da 8 kW di Greatwall: per aiutare i progettisti ad aumentare la densità di potenza, Greatwall e TI hanno sviluppato insieme un alimentatore open-rack da 8 kW sfruttando la tecnologia GaN di TI e i microcontroller in tempo reale C2000, sempre di TI.
Per tutta la durata di APEC 2025 (Georgia World Congress Center, stand n. 1213) gli esperti di alimentazione di TI terranno 27 sessioni tecniche e di settore riguardanti progetti di gestione dell’alimentazione. Il programma completo è disponibile alla seguente pagina: ti.com/APEC.
Quantità di preproduzione di TPS1685, LMG3650R035, LMG3650R025 e LMG3650R070 e dei relativi moduli di valutazione sono già disponibili per l’acquisto su TI.com.
