mercoledì, Maggio 29, 2024
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SK hynix annuncia lo sviluppo della DRAM HBM3 mentre inizia la produzione di massa della versione HBM2E

Immagine: SK hynix

Il produttore sudcoreano di memorie SK hynix ha annunciato di aver ultimato lo sviluppo di chip di memoria con tecnologia HBM3 (High Bandwidth Memory 3), con prestazioni superiori a qualsiasi altra DRAM attualmente disponibile.

La configurazione HBM3 (la quarta generazione della tecnologia HBM), consente di collegare verticalmente più chip DRAM in modo da aumentare in maniera significativa la velocità di elaborazione dei dati.

Questo ultimo sviluppo, che segue l’inizio della produzione di massa dell’HBM2E iniziata nel luglio dello scorso anno (la prima in assoluto), consolida la leadership dell’azienda nel mercato delle memorie DRAM.

L’HBM3 di SK hynix non è solo la DRAM più veloce al mondo, ma è anche dotata della maggiore capacità e di un livello di qualità superiore.

L’ultimo prodotto può elaborare fino a 819 GB (Gigabyte) al secondo, il che significa che è possibile trasferire 163 filmati Full HD (5 GB ciascuno) in un solo secondo. Ciò rappresenta un aumento del 78% della velocità di elaborazione dei dati rispetto all’HBM2E.

Il nuovo prodotto integra anche una correzione degli errori che migliora significativamente l’affidabilità del prodotto.

L’HBM3 di SK hynix sarà fornito in due tipi di capacità, da 16 GB e da 24 GB, la più alta del settore.

Per il prodotto da 24 GB, gli ingegneri SK hynix hanno ridotto l’altezza dei chip DRAM a circa 30 micrometri, equivalente a un terzo dello spessore di un foglio A4, prima di impilare verticalmente 12 chip utilizzando la tecnologia TSV (Through Silicon Via) con elettrodi di interconnessione che collegano i chip superiore e inferiore attraverso migliaia di fori sottili sui chip DRAM.

La tecnologia HBM3 sarà adottata principalmente da data center ad alte prestazioni e piattaforme di apprendimento automatico.

“Dopo aver guidato il mercato con le DRAM HBM2E, SK hynix è riuscita a sviluppare la prima HBM3” ha affermato Seon-yong Cha, Vicepresidente esecutivo responsabile dello sviluppo DRAM “Continueremo i nostri sforzi per consolidare la nostra leadership nel mercato delle memorie premium e contribuire a rafforzare i valori dei nostri clienti fornendo prodotti in linea con gli standard di gestione ESG“.