martedì, Giugno 25, 2024
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News semiconduttori e mercati dal 22 al 26 marzo

AMERICA & GLOBAL

Nonostante i tanti motivi di incertezza, gli investitori ritengono che sia imminente una forte ripresa economica che premierà i titoli ciclici (banche, industriali, energetici, ecc.) e che ciò produrrà anche un aumento dell’inflazione e dei rendimenti dei titoli di Stato.

A conferma di questa tesi, in settimana sono diminuite notevolmente le richieste di nuovi sussidi di disoccupazione, mentre il rendimento dei T-bond a 10 anni, dopo alcuni giorni di calo, è tornato a risalire.

Sono risaliti anche i prezzi delle materie prime, petrolio compreso, mentre è sceso il valore dell’euro nei confronti del dollaro, segno di un differenziale temporale tra la ripresa economica negli States e in Europa.

Tutto ciò ha provocato un aumento settimanale del Dow Jones e dell’S&P500, mentre è sceso di circa mezzo punto il Nasdaq Composite.

Buona la chiusura dell’indice dei semiconduttori (SOX), spinto dalle aziende che producono impianti e forniscono servizi e materiali ai fabbricanti di semiconduttori, le cosiddette foundry. Aziende messe a dura prova dalla forte richiesta di chip da parte di alcuni settori industriali, in particolare da quello automobilistico. Anche questa settimana alcuni Produttori d’auto hanno comunicato che saranno costretti a chiudere una parte delle loro linee produttive a causa della carenza di chip. Proseguono anche gli annunci riguardanti la costruzione di nuovi impianti; l’ultimo, in ordine di tempo, è quello di Intel.

Il guadagno settimanale per il Dow Jones è stato dell’1,36% a quota 33.072 punti, nuovo record assoluto; l’S&P 500 ha guadagnato l’1,57% a quota 3.974 punti, altro record, e il Nasdaq Composite è arretrato dello 0,58% a quota 13.138 punti. Dall’inizio dell’anno, i tre indici guadagnano, rispettivamente, l’8,06%, il 5,82% e l’1,94%.

Perdono quasi tutti i tecnologici e le piattaforme digitali, in particolare arretrano in settimana del 7,05% Twitter e del 5,52% Tesla a quota 618,71 dollari, portando la perdita da inizio anno al 12,32%; oltre a Tesla, restano negativi su base annua anche Apple (-9,12%), Netflix (-6,04%) e Amazon (-6,29%) che in settimana risultano poco mossi.

La migliore performance da inizio anno resta quella di Alphabet con un guadagno del 15,52% seguita da Twitter (+13,13%) e Microsoft (+6,32%).

Il titolo che guadagna di più in settimana è proprio Microsoft (+2,66%) impegnata nell’acquisizione (si parla di 10 miliardi) della piattaforma di messaggistica Discord.

Settimana positiva per l’indice dell’industria dei semiconduttori, il PHLX Semiconductor (SOX) che, grazie alla forte impennata di venerdì, porta il guadagno settimanale al 3,15% e quello dall’inizio anno all’11,11% come si vede nella seguente tabella che riporta i 5 migliori titoli della settimana, i 5 peggiori e le performance relative.

Fonte: elaborazione Elettronica&Mercati su dati di borsa.

Questa settimana l’indice è stato spinto dalle aziende che producono impianti e forniscono servizi e materiali ai fabbricanti di semiconduttori. Guida la classifica Applied Materials (+12,00%) seguita dall’olandese ASML (+11,25%) e da KLA (+9,24%).

Dopo i forti guadagni della settimana scorsa, perde l’1,50% NXP Semiconductors.

Osservando la tabella dei guadagni da inizio anno, la classifica cambia di poco con Applied Materials e ASML ai primi posti. Tra le altre aziende, la classifica segnala nelle posizioni di testa Intel (+30,21%), NXP (+25,15%) e ON Semiconductor (+24,17%). Navigano in fondo alla classifica le fabless Qualcomm (-12,70%), Xilinx (-13,14) e AMD (-15,59%).

Fonte: elaborazione Elettronica&Mercati su dati di borsa.

ASIA

In settimana si arresta la discesa delle borse cinesi che chiudono leggermente positive con l’indice Shanghai Composite che guadagna lo 0,40% e lo Shenzhen Composite che sale dello 0,91%; rimangono tuttavia negative le performance da inizio anno, -1,58% e -4,92% rispettivamente.

Pur rimanendo ancora positivo da inizio anno (ytd +4,06%), l’Hang Seng di Hong Kong arretra questa settimana del 2,26% trascinato dal cattivo andamento dei titoli tecnologici e da quello delle piattaforme digitali, dopo le dichiarazioni delle autorità americane su un possibile delisting dagli indici USA (tutte queste società sono quotate anche a Wall Street) qualora queste aziende non adottassero gli standard contabili americani.

Arretrano, dunque, Alibaba (-7,93%, ytd -7,14%), Xiaomi (-3,24%, ytd – 23,5%), Tencent (-1,27%, ytd +9,93%), SMIC (-6,76%, ytd +9,28%) e Baidu (-20,55%). 

Poco mosso in settimana l’indice coreano KOSPI (+0,05%) con SK hynix che arretra del 2,17% (+13,92% ytd)

Avanza dell’1,47% l’indice Taiex di Taipei portando il guadagno annuo al 10,68%. In evidenza UMC (+8,03%) e MediaTek (+6,55%); quest’ultima porta così al 26,24% l’incremento relativo al 2021.

Il Nikke225 giapponese recupera molto venerdì ma chiude la settimana con una perdita del 2,07% a quota 29.176 punti; da inizio anno l’indice resta comunque positivo (+6,31%).

Contrastati gli indici dei semiconduttori con Renesas (-2,04%) e Murata (-2,89%) che arretrano mentre avanzano sia Rohm (+3,38%) che Tokyo Electron (+5,08%); quest’ultima – che produce impianti per l’industria dei semiconduttori – porta al 15,29% il guadagno da inizio anno.
 

EUROPA  

Settimana positiva anche in Europa con l’indice Stoxx Europe 600 che raggruppa le 600 aziende più importanti che avanza dello 0,85%.

A Milano l’FTSE MIB guadagna in settimana lo 0,80% portando il guadagno da inizio anno al 9,72%.

Tutti ampiamente positivi gli indici dei semiconduttori in Europa ad eccezione di ams che arretra dell’1,22%.

STMicroelectronics guadagna in settimana il +4,57%, (ytd  +6,64%), Infineon Technologies avanza del +4,40% (ytd +11,91%) e ASML guadagna l’11,25% (ytd +30,02).

PRODOTTI

Per quanto riguarda i nuovi prodotti, in settimana Analog Devices ha annunciato la disponibilità di una piattaforma radio basata su ASIC per unità radio 5G conformi O-RAN progettata per abbreviare il time to market e soddisfare le esigenze in evoluzione delle reti 5G. L’ecosistema O-RAN utilizza standard aperti per disaggregare la rete tradizionale e consentire una maggiore flessibilità e funzionalità aggiuntive tra le reti di operatori.

Immagine: Analog Devices.

La piattaforma radio di ADI include tutte le funzionalità di base necessarie in un’unità radio 5G conforme a O-RAN, tra cui un ASIC in banda base, ricetrasmettitori software defined, elaborazione del segnale e alimentazione. Questa piattaforma radio avanzata è progettata per consentire miglioramenti significativi delle prestazioni e del fattore di forma, per migliorare il rendimento energetico e per affrontare le sfide dei costi delle reti di prossima generazione, riducendo al contempo i cicli di progettazione per i clienti.

O-RAN sta riducendo le barriere all’ingresso, offrendo nuove opportunità per i fornitori wireless attuali ed emergenti. ADI si sta impegnando direttamente con i partecipanti all’ecosistema per ottimizzare l’efficienza totale del sistema, garantire l’interoperabilità e ulteriori capacità del settore.

La piattaforma Analog Devices consente ai progettisti e ai produttori radio di ottimizzare le prestazioni totali del sistema per soluzioni macro e small cell. Il progetto di riferimento consentirà ai progettisti di creare radio conformi O-RAN con l’uso di:

Ricetrasmettitore di nuova generazione di ADI con elaborazione avanzata del segnale digitale front-end (DFE), pre-distorsione digitale con supporto GaN PA, riduzione del fattore di cresta, convertitori digitali di canale verso l’alto e verso il basso.

  • Un ASIC in banda base low-PHY che fornisce una soluzione 7.2x conforme LTE, 5G e NBIoT, incluso il protocollo IEEE1588 e un’interfaccia eCPRI.
  • Soluzioni complete per clock e linee di alimentazione.
  • Le piattaforme di valutazione tecnologica saranno disponibili entro la fine dell’anno.

Ulteriori informazioni sulla piattaforma radio basata su ASIC sono disponibili al seguente link. Qui sono disponibili ulteriori informazioni sui sistemi e le soluzioni di Analog Devices.
Al seguente link sono invece disponibili ulteriori informazioni sulla O-RAN Alliance di cui fa parte anche Analog Devices.

Da parte sua, Maxim Integrated ha presentato i dispositivi MAX17577 e MAX17578, i convertitori DC-DC invertenti step-down sincroni più piccoli e con il più elevato valore di efficienza disponibili sul mercato. Questi convertitori DC-DC invertenti da 60V, i primi realizzati da Maxim con traslatori di livello integrati, consentono di risparmiare fino al 72% dello spazio sulla scheda, riducendo della metà il numero di componenti richiesto e utilizzando il 35% di energia in meno rispetto a soluzioni analoghe della concorrenza.

Immagine: Maxim Integrated

Entrambi i componenti consentono di ottenere una riduzione delle dimensioni, della quantità di calore prodotto e dei costi, semplificando la progettazione delle tensioni di uscita negative richieste dai segnali analogici nei dispositivi IoT utilizzati nell’automazione di fabbrica, nell’automazione degli edifici e nei sistemi di telecomunicazione.
I convertitori MAX17577 e MAX17578 sono già disponibili così come i relativi kit di valutazione MAX17577EVKIT# e MAX17578EVKIT#.
 

Da parte sua, Qualcomm Technologies ha annunciato l’ultimo modello di processore della serie 7, la piattaforma mobile 5G Qualcomm Snapdragon 780G.

Snapdragon 780G aggiunge potenti prestazioni di intelligenza artificiale e nuove capacità alla fotocamera supportate dal triplo ISP Qualcomm Spectra 570 e dal motore Qualcomm AI di sesta generazione. La nuova piattaforma consente una selezione di funzionalità di livello premium anche nella serie 7, rendendo le prestazioni più avanzate ancora più accessibili.

Immagine: Qualcomm Technologies.

Dotato del nuovo Qualcomm Spectra 570, Snapdragon 780G è la prima piattaforma della serie 7 con un triplo Image Signal Processor (ISP), in grado di acquisire da tre telecamere contemporaneamente. Questa funzione offre tre diverse immagini acquisite contemporaneamente da obiettivi zoom, grandangolari e ultra grandangolari.

I dispositivi commerciali basati su Snapdragon 780G dovrebbero essere disponibili nel secondo trimestre del 2021. Ulteriori informazioni e specifiche complete al seguente link.

 

Per quanto riguarda le memorie, Samsung Electronics ha annunciato di aver ampliato il proprio portafoglio di memorie DRAM DDR5 con il primo modulo DDR5 da 512 GB del settore basato sulla tecnologia di processo High-K Metal Gate (HKMG). In grado di garantire prestazioni due volte superiori rispetto alle DDR4 con flussi fino a 7.200 megabit al secondo (Mbps), la nuova DDR5 sarà in grado di orchestrare i carichi di lavoro a maggior larghezza di banda nelle applicazioni HPC, intelligenza artificiale (AI) e apprendimento automatico (ML), nonché nelle applicazioni di analisi dei dati.

Immagine: Samsung Electronics.

La DDR5 di Samsung utilizza la tecnologia HKMG tradizionalmente impiegata nei semiconduttori logici.  Il processo HKMG è stato adottato per la prima volta nel settore delle memorie nel 2018 con le GDDR6 di Samsung; espandendo il suo utilizzo nelle DDR5, Samsung consolida ulteriormente la sua leadership nella tecnologia DRAM di prossima generazione.

Sfruttando la tecnologia through-silicon via (TSV), la DDR5 di Samsung impila otto strati di chip DRAM da 16 Gb per offrire una capacità complessiva di 512 GB. TSV è stato utilizzato per la prima volta nella DRAM nel 2014, quando Samsung ha introdotto moduli server con capacità fino a 256 GB.

Samsung sta attualmente campionando diverse varianti della sua famiglia di prodotti di memoria DDR5 ai clienti per la verifica e la certificazione per le applicazioni più avanzate in ambito accelerazione AI/ML, elaborazione exascale, analisi, networking e altri carichi di lavoro ad alta intensità di dati.

 

Due i prodotti introdotti da questa settimana da Renesas Electronics;il primo è il microcontrollore RE01B (MCU) con supporto Bluetooth 5.0, ampliando così la famiglia di MCU RE a 32 bit a bassissimo consumo energetico.

Immagine: Renesas electronics

Sviluppato utilizzando la rivoluzionaria tecnologia di processo SOTB (Silicon on Thin Buried Oxide) di Renesas, il nuovo MCU RE01B compatibile con Bluetooth è ideale per sistemi di energy harvesting e dispositivi IoT intelligenti, che devono funzionare costantemente a livelli di potenza estremamente bassi senza la necessità di sostituire o ricaricare le batterie. Il microcontrollore RE01B semplifica l’implementazione della gestione regolare dei dati e degli aggiornamenti del firmware tramite Bluetooth, mantenendo un consumo energetico estremamente basso e prolungando la durata della batteria. Le applicazioni includono dispositivi sanitari compatti, come pulsossimetri e cerotti per sensori biomedici, telecomandi con capacità di riconoscimento vocale e moduli smart meter. Inoltre, RE01B è adatto per dispositivi IoT che richiedono un funzionamento costante, raccolta di dati periodici e aggiornamenti, come i dispositivi per il monitoraggio di anziani, bambini o risorse in transito.
Il RE01B è già disponibile così come il kit di valutazione EB-RE01B da Tessera Technology Inc. È possibile utilizzare il kit per valutare tutte le funzioni periferiche del RE01B, compreso il sistema di energy harvesting.
Ulteriori informazioni al seguente link.

Il secondo annuncio di Renesas Electronics riguarda l’ampliamento del portafoglio di prodotti per temporizzazione con tre nuove dispositivi di temporizzazione RF a basso rumore di fase per applicazioni radio 4G e 5G che realizzano due nuove combinazioni in grado di soddisfare la necessità di soluzioni complete per la catena del segnale. Il nuovo sincronizzatore radio 8V19N850 e gli attenuatori jitter 8V19N880, 8V19N882 JESD204B/C offrono sincronizzazione del clock di rete conforme a ITU-T, il migliore rumore di fase della categoria ed elevata frequenza di clock.

Immagine: Renesas Electronics

Il sincronizzatore radio 8V19N850 è la prima soluzione integrata di sincronizzazione radio 5G del settore con un set completo di funzionalità per la sincronizzazione radio su un singolo chip, inclusa la piena conformità ITU-T G.8273.2 T-BC/T-TSC Class C, ITU-T G.8262.1 e la compatibilità ESD204B/C e SyncE.  L’8V19N850 si occupa anche di recuperare il clock da CPRI/ CPRI, in base ai requisiti di sincronizzazione IEEE 802.1cm, rendendolo ideale per l’uso nelle reti O-RAN 5G emergenti per Radio Units (O-RU).

Gli attenuatori del jitter di clock 8V19N880 e 8V19N882 JESD204B/C offrono un basso rumore di fase e prestazioni di jitter eccezionali a partire da 74 fs RMS e -90 dB di attenuazione delle spurie per applicazioni di convertitori dati industriali mission-critical in radio wireless, test e misura, strumentazione e applicazioni avanzate di imaging. I nuovi dispositivi supportano frequenze fino a 3932,16 MHz (e fino a 6 GHz con un VCO esterno) e dispongono di 16 e 18 uscite differenziali integrate per fornire un ottimo equilibrio tra alte prestazioni, bassa tensione e basso consumo energetico con supporto a 1,8V.
Tutti i nuovi circuiti integrati sono già disponibili. Ulteriori informazioni al seguente link.

Da parte sua, Infineon Technologies ​​ha annunciato la disponibilità delle sue RAM statiche non volatili di seconda generazione (nvSRAM). La nuova generazione di dispositivi è qualificata per QML-Q e specifiche industriali ad alta affidabilità, in grado di supportare applicazioni di archiviazione e registrazione dati non volatili in ambienti difficili, comprese applicazioni industriali e aerospaziali.

Immagine: Infineon Technologies

Le nvSRAM STK14C88C da 256 kb e STK14CA8C da 1 Mb sono qualificate in package ceramici dual in-line da 300 mil a 32 pin per le specifiche MIL-PRF-38535 QML-Q (da -55 °C a 125 °C) e per gli standard industriali di Infineon (da -40 °C a 85 °C). Entrambe le versioni 5 V e 3 V supportano il boot code, la registrazione dei dati e l’archiviazione dei dati di calibrazione per i sistemi aerospaziali, di comunicazione e di navigazione, oltre che per i  forni industriali e i sistemi di controllo ferroviario. Infineon offre anche la possibilità di avere package differenti.
Le nvSRAM STK14C88C da 256 kb e STK14CA8C da 1 Mb sono già disponibili. Ulteriori informazioni al seguente link.

 

L’azienda belga Melexis ha presentato MLX81117, il suo ultimo driver LED RGB multicanale. Questo nuovo prodotto supporta la tecnologia di comunicazione ad alta velocità MeLiBu che consente di realizzare progetti animati di illuminazione automobilistica.

La tecnologia è già utilizzata dalle principali case automobilistiche mondiali per migliorare le caratteristiche di sicurezza dei loro ultimi modelli. L’MLX81117 estende la famiglia di prodotti MeLiBu con una precisione di miscelazione del colore ancora migliore, con un valore di delta UV <0,01.

Immagine: Melexis

Le case automobilistiche continuano ad adottare l’illuminazione animata nell’abitacolo, per fornire informazioni importanti come richieste di assistenza alla guida, aggiornamenti sullo stato del veicolo o funzioni di comfort avanzate come la luce adattiva sul tetto. Sta diventando sempre più diffuso l’utilizzo di barre luminose LED RGB per comunicare con il conducente attraverso sequenze di luci, che cambiano colore e lampeggiano. Tutto ciò presenta sfide ingegneristiche, come il mantenimento di colori uniformi su tutti i LED nella barra luminosa e l’implementazione di cambi di luce simultanei.

L’MLX81117 risolve questo problema integrando l’interfaccia di comunicazione proprietaria ad alta velocità Melexis MeLiBu. MeLiBu controlla i singoli LED per implementare gli effetti luminosi definiti dai sistemi del veicolo. Il controller RGB-LED fornisce anche la compensazione in tempo reale di qualsiasi variazione di colore causata da cambiamenti ambientali e l’accuratezza della miscelazione del colore con un delta UV <0,01% per eliminare qualsiasi differenza tra i LED.

Le funzionalità aggiuntive del driver IC LED MLX81117 includono il controllo della luminosità su un ampio intervallo di regolazione, che consente la regolazione dei livelli di luce naturale. L’MLX81117 è conforme ai requisiti di sicurezza funzionale ISO 26262 fino al livello di integrità della sicurezza B (ASIL B) e il design offre anche bassa EMI e alti livelli di immunità, aiutando i progettisti a soddisfare le normative EMC.

 

Due anche gli annunci di STMicroelectronics; il primo riguarda  l’amplificatore operazionale ad elevata precisione, TSV7722 che offre anche ampia larghezza di banda, con GBW di 22 MHz e slew rate di 11V/μs, un dispositivo  adatto per il condizionamento del segnale ad alta velocità e la misurazione accurata della corrente nei circuiti di conversione di potenza e nei sensori ottici.

Immagine: STMicroelectronics

La tensione massima di offset in ingresso di 200µV (tipico 50µV a 25 °C) e la densità di rumore della tensione di ingresso di 7nV / √Hz consentono misurazioni accurate della corrente low-side. Inoltre, la tipica corrente di bias in ingresso di 2pA consente una misurazione accurata della corrente del fotodiodo in applicazioni di rilevamento ottico quali i rilevatori di fumo. Stabile con guadagno unitario e perfetto per un carico di 47 pF, il TSV7722 può essere utilizzato come buffer di ingresso per convertitori analogico-digitali (ADC).

Con un intervallo di tensione operativa di 1,8 V-5,5 V, l’OP AMP TSV7722 può essere alimentato con la stessa alimentazione dei componenti CMOS a bassa tensione, come un microcontrollore, o da una batteria quasi scarica. Inoltre, i parametri di precisione e la stabilità rispetto alla temperatura del TSV7722 semplificano ulteriormente la progettazione garantendo un’eccezionale accuratezza senza resistori di precisione e senza la necessita di taratura dopo l’assemblaggio.
Il TSV7722 è già in produzione in confezioni MiniSO8 e DFN8, al prezzo di 0,39 USD per ordini di 1000 pezzi.
Ulteriori informazioni al seguente link.

 

STMicroelectronics ha anche presentato i dispositivi ISOSD61 e ISOSD61L, due modulatori sigma-delta di secondo ordine isolati ad alta precisione che offrono prestazioni e affidabilità migliorate in applicazioni industriali come controllo motore, stazioni di ricarica per veicoli elettrici, inverter solari, UPS e alimentatori per server e telecomunicazioni.

Immagine: STMicroelectronics

ISOSD61 ha livelli di segnale di ingresso e uscita compatibili TTL / CMOS, mentre ISOSD61L è compatibile con LVDS (Low-Voltage Differential Signaling). Entrambi i modelli presentano una risoluzione del convertitore analogico-digitale (ADC) a 16 bit e un tipico rapporto segnale / rumore (SNR) di 86 dB.

Grazie alla frequenza di campionamento esterna di 25MHz, i modulatori si adattano a larghezze di banda del segnale di ingresso molto ampie. Ciò si traduce in capacità di elaborazione del segnale ad alta frequenza nonché precisione di misurazione, indispensabile per le più recenti tecnologie di inverter e commutazione rapida in applicazioni di controllo motore ad alta risoluzione che sfruttano tecnologie di alimentazione avanzate come il carburo di silicio (SiC).

 

In settimana Microchip Technology ha presentato il nuovo software di sicurezza BlueSky per il time server SyncServer S600 che risulta ora insensibile ai disturbi GPS e allo spoofing.

Immagine: Microchip Technology

Le reti mission-critical e altre infrastrutture aziendali essenziali possono mantenere un funzionamento affidabile solo se ricevono continuamente informazioni accurate sul tempo dai server di riferimento dell’orario di rete; questi dispositivi, tuttavia, possono essere vulnerabili ai disturbi del sistema GPS (Global Positioning System) e allo spoofing, una minaccia per la sicurezza informatica. La nuova soluzione annunciata da Microchip Technology pone rimedio a questi problemi grazie al software di rilevamento delle anomalie BlueSky integrato nel server e negli strumenti di rete della serie SyncServer S600.

Se viene rilevata un’anomalia, la soluzione invia un allarme e, se necessario, lo strumento SyncServer può essere spostato su sorgenti temporali alternative o su un riferimento temporale interno. Ciò protegge le sue uscite temporali garantendo al contempo solo una degradazione minima e prevedibile per le operazioni di rete e aziendali vitali, in applicazioni che vanno dal settore bancario e del commercio di azioni alle aziende elettriche, aerospaziale e difesa. Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.

 

Un nuovo prodotto arriva anche da Allegro MicroSystems che ha annunciato un nuovo sensore di corrente a effetto Hall senza nucleo per sistemi automobilistici e industriali gravosi, offrendo maggiore accuratezza e sensibilità, capacità aggiuntive di rilevamento dei guasti e programmabilità da parte dell’utente. Il nuovo sensore ACS37610 di Allegro si unisce all’ACS37612 a formare la prima famiglia del settore di soluzioni con tecnologia Hall che non necessitano di un nucleo magnetico per misurare correnti da 100 A a 4000 A e che fluiscono attraverso un “busbar” o una traccia su PCB con una precisione tipica dell’1%, senza dover ricorrere ad un supporto magnetico esterno. Queste soluzioni innovative consentono ai progettisti di sistemi di ottenere una maggiore efficienza e una maggiore densità di potenza, riducendo la complessità del sistema, la distinta base, i costi, l’ingombro e il peso.

Immagine: Allegro MicroSystems

L’ACS37610 è la scelta ottimale per inverter per motori di trazione ad alta tensione per veicoli elettrici, inverter ausiliari da 48V / 12V, monitoraggio di batterie eterogenee, rilevamento di sovracorrenti, fusibili intelligenti, unità di distribuzione dell’alimentazione (PDU) e alimentatori. La larghezza di banda di 250 kHz del sensore, il pin di guasto di sovracorrente e sovratemperatura dedicato nonché una completa diagnostica integrata lo rendono ideale per applicazioni critiche per la sicurezza.

Per aiutare gli sviluppatori ad accelerare i loro progetti, Allegro offre kit di valutazione e strumenti di riferimento per la corrente che scorre attraverso un PCB o una barra bus. Ulteriori informazioni al seguente link.