L’azienda tedesca è riuscita a produrre dispositivi di potenza GaN su wafer da 300 mm su una linea pilota integrata nella linea di produzione di silicio da 300 mm nel suo stabilimento di produzione di Villach (Austria).
Infineon Technologies ha annunciato oggi di essere riuscita a sviluppare la prima tecnologia al mondo per dispositivi di potenza in nitruro di gallio (GaN) su wafer da 300 mm, una tecnologia all’avanguardia per produzioni scalabili e ad alto volume.
Questa svolta contribuirà in modo sostanziale a guidare il mercato dei semiconduttori di potenza basati su GaN. La produzione di chip su wafer da 300 mm è tecnologicamente più avanzata e significativamente più efficiente rispetto ai wafer da 200 mm, poiché il diametro maggiore del supporto consente di realizzare con le stesse fasi di lavorazione circa 2,3 volte più chip per wafer.
I semiconduttori di potenza basati su GaN si stanno rapidamente affermando in applicazioni industriali, automobilistiche e di consumo, informatiche e di comunicazione, tra cui alimentatori per sistemi di intelligenza artificiale, inverter solari, caricabatterie e adattatori e sistemi di controllo motore. I nuovi processi di produzione GaN portano a prestazioni migliorate dei dispositivi, con conseguenti vantaggi nelle applicazioni dei clienti finali, in quanto consentono prestazioni di efficienza, dimensioni più piccole, peso più leggero e costi complessivi inferiori. Inoltre, la produzione da 300 mm garantisce una stabilità superiore della fornitura al cliente tramite maggiore scalabilità.
“Questo straordinario successo è il risultato della nostra forza innovativa e del lavoro del nostro team globale, a dimostrazione della nostra posizione di leader dell’innovazione nella tecnologia GaN e nei sistemi di alimentazione”, ha affermato Jochen Hanebeck, CEO di Infineon Technologies. “Questa svolta tecnologica cambierà le regole del gioco nel settore e ci consentirà di sbloccare il pieno potenziale del nitruro di gallio. A quasi un anno dall’acquisizione di GaN Systems, stiamo dimostrando ancora una volta di essere determinati a essere leader nel mercato in rapida crescita dei dispositivi GaN. In qualità di leader nei sistemi di alimentazione, Infineon sta padroneggiando tutti e tre i materiali fondamentali: silicio, carburo di silicio e nitruro di gallio”.
Infineon è riuscita a produrre wafer GaN da 300 mm su una linea pilota integrata nella linea di produzione di silicio da 300 mm nel suo stabilimento di produzione di Villach (Austria). L’azienda sta sfruttando una competenza consolidata nella produzione esistente di silicio da 300 mm e GaN da 200 mm. Infineon amplierà ulteriormente la capacità GaN in relazione alle esigenze di mercato. Secondo l’azienda, questo successo metterà Infineon in una posizione tale da dare forma al crescente mercato GaN che si stima raggiungerà diversi miliardi di dollari entro la fine del decennio.
Questo successo tecnologico sottolinea la posizione di Infineon come leader globale dei semiconduttori nei sistemi di alimentazione e IoT. Infineon sta implementando la tecnologia GaN da 300 mm per rafforzare le soluzioni e i campi di applicazione esistenti e abilitarne di nuovi con una proposta di valore sempre più conveniente, con la capacità di affrontare l’intera gamma di sistemi dei clienti. Infineon presenterà al pubblico i primi wafer GaN da 300 mm durante la manifestazione electronica 2024 nel mese di novembre a Monaco di Baviera.
Un vantaggio significativo della tecnologia GaN da 300 mm è che può utilizzare molte delle attrezzature di produzione del silicio da 300 mm esistenti, poiché il nitruro di gallio e il silicio sono molto simili nei processi di produzione. Le attuali linee di produzione di silicio da 300 mm ad alto volume di Infineon sono ideali per abilitare una tecnologia GaN affidabile, consentendo un’implementazione accelerata e un uso efficiente del capitale. La produzione di GaN da 300 mm completamente scalata contribuirà alla parità di costo del GaN con il silicio a livello di RDSON, il che significa parità di costo per prodotti Si e GaN comparabili.
Il GaN da 300 mm rappresenta un’altra pietra miliare nella leadership strategica dell’innovazione di Infineon e supporta la missione di decarbonizzazione e digitalizzazione dell’azienda.
