In futuro, sarà più facile per i clienti passare dai prodotti di Infineon a quelli ROHM e viceversa, migliorando la flessibilità di progettazione e di approvvigionamento.
Infineon Technologies e la giapponese ROHM hanno firmato un Memorandum d’Intesa per fungere reciprocamente da seconde fonti di package selezionati per dispositivi di potenza SiC, un’iniziativa che aumenterà la flessibilità di progettazione e approvvigionamento per i loro clienti. I semiconduttori di potenza in carburo di silicio (SiC) sono utilizzati in applicazioni quali caricabatterie di bordo, fotovoltaico, sistemi di accumulo di energia e data center per l’intelligenza artificiale. La collaborazione garantirà una perfetta compatibilità e intercambiabilità per soddisfare le specifiche esigenze dei clienti.
I commenti
“Siamo entusiasti di collaborare con ROHM per accelerare ulteriormente l’adozione dei dispositivi di potenza SiC“, ha affermato il Dott. Peter Wawer, Presidente della Divisione Green Industrial Power di Infineon. “La nostra collaborazione offrirà ai clienti una gamma più ampia di opzioni e una maggiore flessibilità nei processi di progettazione e approvvigionamento, consentendo loro di sviluppare applicazioni più efficienti dal punto di vista energetico che favoriranno ulteriormente la decarbonizzazione”.
“ROHM si impegna a fornire ai clienti le migliori soluzioni possibili. La nostra collaborazione con Infineon rappresenta un passo significativo verso la realizzazione di questo obiettivo, poiché amplia il portafoglio di soluzioni“, ha affermato il Dott. Kazuhide Ino, Membro del Consiglio di Amministrazione, Amministratore Delegato e Responsabile della Divisione Dispositivi di Potenza di ROHM. “Collaborando, possiamo promuovere l’innovazione, ridurre la complessità e aumentare la soddisfazione del cliente, plasmando in ultima analisi il futuro del settore dell’elettronica di potenza”.
I particolari dell’accordo
Nell’ambito dell’accordo, ROHM adotterà l’innovativa piattaforma di raffreddamento top-side di Infineon per SiC, che include i package TOLT, D-DPAK, Q-DPAK, Q-DPAK dual e H-DPAK. La piattaforma di raffreddamento top-side di Infineon offre diversi vantaggi, tra cui un’altezza standardizzata di 2,3 mm per tutti i package. Ciò semplifica la progettazione e riduce i costi di sistema per il raffreddamento, consentendo al contempo un migliore utilizzo dello spazio sulla scheda e una densità di potenza fino a due volte superiore.
Allo stesso tempo, Infineon utilizzerà il package DOT-247 di ROHM con configurazione half-bridge SiC per sviluppare un package compatibile. Ciò amplierà il portafoglio di IGBT Double TO-247 recentemente annunciato da Infineon, includendo soluzioni half-bridge SiC. Il DOT-247 avanzato di ROHM offre una maggiore densità di potenza e riduce lo sforzo di assemblaggio rispetto ai package discreti standard. Dotato di una struttura unica che integra due package TO-247, consente di ridurre la resistenza termica di circa il 15% e l’induttanza del 50% rispetto al TO-247. I vantaggi si traducono in una densità di potenza 2,3 volte superiore rispetto al TO-247.
Non solo SiC
Infineon e ROHM prevedono di ampliare la loro collaborazione in futuro per includere altri package con tecnologie di potenza sia al silicio che a banda larga, SiC e nitruro di gallio (GaN). Ciò rafforzerà ulteriormente il rapporto tra le due aziende e offrirà ai clienti una gamma ancora più ampia di soluzioni e opzioni di approvvigionamento.
I semiconduttori basati sul carburo di silicio hanno migliorato le prestazioni delle applicazioni ad alta potenza commutando l’elettricità in modo ancora più efficiente, garantendo elevata affidabilità e robustezza in condizioni estreme e consentendo al contempo progetti ancora più compatti. Utilizzando i prodotti SiC di Infineon e ROHM, i clienti possono sviluppare soluzioni a basso consumo energetico e aumentare la densità di potenza per applicazioni come la ricarica di veicoli elettrici, i sistemi di energia rinnovabile e i data center di intelligenza artificiale.
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