I semiconduttori di potenza al carburo di silicio di Infineon selezionati per il nuovo “bZ4X” di TOYOTA

I MOSFET CoolSiC di Infineon presentano un’esclusiva struttura trench gate che riduce la resistenza di conduzione e le dimensioni del chip, consentendo di ridurre le perdite sia di conduzione che di commutazione, contribuendo a una maggiore efficienza nei sistemi di alimentazione per autoveicoli.

Infineon Technologies ha annunciato oggi che i MOSFET CoolSiC (MOSFET di potenza al carburo di silicio) sono stati adottati nel nuovo modello bZ4X di Toyota, la più grande casa automobilistica al mondo. Integrati nel caricabatterie di bordo (OBC) e nel convertitore DC/DC, i MOSFET SiC sfruttano i vantaggi del materiale in termini di basse perdite, elevata resistenza termica e capacità di alta tensione per contribuire ad aumentare l’autonomia di guida e ridurre i tempi di ricarica.

I commenti

“Siamo molto orgogliosi che Toyota, una delle più grandi case automobilistiche al mondo, abbia scelto la tecnologia CoolSiC di Infineon. Il carburo di silicio migliora l’autonomia, l’efficienza e le prestazioni dei veicoli elettrici e rappresenta quindi una parte fondamentale del futuro della mobilità“, ha affermato Peter Schaefer, Vicepresidente esecutivo e Chief Sales Officer Automotive di Infineon. “Grazie alla nostra dedizione e al nostro impegno per l’innovazione e la qualità a zero difetti, siamo ben posizionati per soddisfare la crescente domanda di elettronica di potenza nell’elettromobilità”.

I MOSFET CoolSiC di Infineon presentano un’esclusiva struttura trench gate che riduce la resistenza di conduzione normalizzata e le dimensioni del chip, consentendo di ridurre le perdite sia di conduzione che di commutazione, contribuendo a una maggiore efficienza nei sistemi di alimentazione per autoveicoli. Inoltre, la capacità parassita ottimizzata e la tensione di soglia del gate consentono il pilotaggio unipolare del gate, contribuendo alla semplificazione dei circuiti di controllo per la trasmissione elettrica per autoveicoli e supportando una progettazione ad alta densità e alta affidabilità per convertitori OBC e DC/DC.