La decisione finale della Commissione potrebbe portare al divieto di importazione negli Stati Uniti di alcuni prodotti di Innoscience. La sentenza rappresenta un’ulteriore conferma del valore del portafoglio brevetti di Infineon.
La Commissione per il commercio internazionale degli Stati Uniti (ITC) ha riscontrato la violazione di un brevetto di Infineon Technologies relativo alla tecnologia al nitruro di gallio (GaN) da parte di Innoscience. Con questa decisione preliminare, l’ITC ha inoltre confermato che entrambi i brevetti rivendicati da Infineon nel procedimento sono giuridicamente validi.
Il caso riguarda l’utilizzo non autorizzato di tecnologie GaN brevettate da Infineon. La decisione finale della Commissione è attesa per il 2 aprile 2026 e, se confermerà l’esito preliminare, potrebbe comportare un divieto di importazione negli Stati Uniti per alcuni prodotti Innoscience.
Infineon: “Una conferma della solidità del nostro portafoglio brevetti”
“Questa sentenza è un’ulteriore testimonianza della solidità della proprietà intellettuale di Infineon e conferma il nostro impegno a difendere con forza il nostro portafoglio brevetti dalle violazioni e a garantire una concorrenza leale sul mercato“, ha dichiarato Johannes Schoiswohl, Senior Vice President e responsabile della Business Line GaN Systems di Infineon.
Schoiswohl ha sottolineato che Infineon continuerà a investire nell’innovazione dei semiconduttori per affrontare le principali sfide globali, dalla decarbonizzazione alla trasformazione digitale.
Contenziosi internazionali: vittorie per Infineon anche in Europa
La decisione dell’ITC segue altre pronunce favorevoli a Infineon. In Germania, l’Ufficio brevetti ha recentemente confermato la validità di un brevetto GaN dell’azienda, seppur in forma leggermente modificata. Infineon ha avviato un’azione legale per violazione di questo brevetto presso il Tribunale distrettuale di Monaco.
Nell’agosto 2025, lo stesso Tribunale distrettuale di Monaco I aveva già accertato la violazione di un diverso brevetto Infineon da parte di Innoscience.
Il portafoglio brevetti GaN di Infineon: uno dei più vasti al mondo
Infineon possiede il più ampio portafoglio di proprietà intellettuale nel settore GaN, composto da circa 450 famiglie di brevetti. Questa leadership tecnologica è particolarmente rilevante in un mercato in rapida crescita.
Il nitruro di gallio svolge un ruolo fondamentale nell’abilitare sistemi di alimentazione ad alte prestazioni e ad alta efficienza energetica in applicazioni come energie rinnovabili, data center per l’intelligenza artificiale, automazione industriale e veicoli elettrici.
Con una maggiore densità di potenza, velocità di commutazione elevate e ridotte perdite energetiche, i semiconduttori GaN consentono dispositivi più compatti, efficienti e con minore generazione di calore.
Infineon è uno dei pochi player globali a padroneggiare tutti e tre i materiali chiave per l’elettronica di potenza: silicio (Si), carburo di silicio (SiC) e nitruro di gallio (GaN).
