domenica, Marzo 29, 2026
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Infineon amplia il portafoglio CoolSiC con MOSFET da 400 V e 440 V per applicazioni ad alta potenza

Infineon CoolSiC 400 e 440 V

Infineon Technologies ha ampliato il suo portafoglio di MOSFET CoolSiC da 400 V G2 con il package TOLT raffreddato sul lato superiore (TSC) e con i package TO-247-3 e TO-247-4. Sono stati inoltre introdotti tre nuovi prodotti nel package TOLL, con tensioni nominali di 440 V (continua) e 455 V (transitoria).

I nuovi MOSFET CoolSiC di Infineon Technologies offrono prestazioni termiche, efficienza di sistema e densità di potenza migliorate. Sono stati specificamente progettati per soddisfare i requisiti di applicazioni ad alta potenza e ad alta intensità di calcolo, tra cui alimentatori per server di intelligenza artificiale, inverter solari, gruppi di continuità (UPS), amplificatori audio di Classe D, azionamenti per motori e interruttori automatici allo stato solido. Per questi sistemi critici, i dispositivi forniscono l’affidabilità e le prestazioni richieste.

Caratteristiche tecniche 

Rispetto alle tecnologie Si esistenti nelle classi di tensione 250 V e 300 V, i MOSFET CoolSiC G2 da 400 V e 440 V raggiungono perdite di conduzione fino al 50% inferiori a una temperatura operativa di 120 °C, grazie alla loro RDS(on) piatta, anche al variare della temperatura di giunzione (Tj).
Presentano inoltre valori di merito di commutazione significativamente migliorati, con conseguente riduzione della carica di recupero inversa di almeno cinque volte. A livello di sistema, i MOSFET CoolSiC G2 da 400 V e 440 V in una configurazione PFC totem-pole three-stage flying-capacitor CCM hanno raggiunto un’efficienza di picco dell’alimentatore fino a 0,4 punti percentuali superiore rispetto a un PFC totem-pole CCM a due livelli interlacciato. Ciò si traduce in perdite di sistema inferiori di circa il 15% alla massima efficienza.
 
I nuovi MOSFET CoolSiC da 400 V e 440 V G2 sono già disponibili. Ulteriori informazionisono disponibili al seguente link: www.infineon.com/coolsic-400v.